《模拟电子技术教学课件》第1讲 绪论和二极管.pptVIP

于蕾 21＃109，每周二下午2:00-4:00 yulei@hrbeu.edu.cn 一、电子技术的发展 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 交通：飞机、火车、轮船、汽车 军事：雷达、电子导航 航空航天：卫星定位、监测 医学：γ刀、CT、B超、微创手术 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。 半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 2、课程学习什么？ 3、课程怎么学？ 与普通二极管比较 相同点： 1.正向、反向特性相同； 不同点（反向击穿特性）： 1.稳压二极管比较陡； 2.UBRUZ。 （2）N型半导体 施主杂质 磷原子丢失一个电子时就变成了带正电的正离子 电子的浓度远远大于空穴的浓度。 结论：在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子。 在本征半导体中掺入微量的五价元素 三、PN结 1 PN结的形成 浓度差 空间电荷区 （内电场） 少子的漂移运动 动态平衡 稳定的空间电荷区 多子的扩散运动 P N 2 PN结 在P型和N型半导体交界面出形成的空间电荷区。 耗尽区、阻挡层、势垒层 几微米~几十微米 内电场的电势差：Si 0.5~0.7V Ge 0.1~0.3V 3 PN结的特点：单向导电性 （1）外加正向电压(正偏置)—PN结导通 外加电场与内电场方向相反，内电场被削弱，此时多子扩散运动大大超过少子漂移运动，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。 PN 结正偏 PN 结正向导通 外电场与内电场方向相反 利于扩散 扩散 漂移 PN 结变窄 外部电源不断提供电荷 产生较大的扩散电流 I （2）外加反向电压(反偏置)—PN结截止 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流I，因为是少子漂移运动产生的，I很小，这时称PN结处于截止状态。 PN 结反偏 PN 结反向截止 外电场与内电场方向相同 利于漂移 漂移 扩散 PN 结变厚 外部电源不断提供电荷 产生较小的反向电流 I PN结正偏导通；反偏截止，这种性质称PN结的单向导电性。 结论： 3 PN结的电容效应(了解) 势垒电容+扩散电容 第二节 半导体二极管 一、二极管的结构 按PN结分 点接触 面接触 按材料分 硅管 锗管 按用途分 普通管 整流管 二、二极管的伏安特性曲线及电流方程式 1.二极管的电流方程式 常温下，UT = 26 mV 反向饱和电流 温度 电压当量 加正向电压时 加反向电压时 当 时 2 伏安特性曲线 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uon iD = 0 Uon = 0.5~0.7 V 0.1~0.3 V (硅管) (锗管) U DQ? Uon 0 ? U ? Uon UDQ = (0.6 ? 0.8) V 硅管取 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管取 0.2 V 反向特性 IS U(BR) 反向击穿 Uon ：开启电压或死区电压 死区电压 (1).正向特性 工作电压 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA Uon 反向特性 IS U(BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1?A(硅) 几十?A(锗) U U(BR) PN 结两端外加的反向电压增加到一定值时反向电流急剧增大 (反向击穿) 死区电压 (2).反向特性 三、环境温度对伏安特性曲线的影响 当温度升高时，正向特性曲线左移。 反向饱和特性曲线下移。 其变化规律为 四、二极管的主要参数 1 最大整流电流 3 最大反向工作电压 4 反向电流 ： 值越小越好 5 最高工作频率 ：决定于结电容的大小 　　二极管长时间工作时，允许流过的最大正向电流的平均值。 　　二极管正常使用时允许加的最高反向电压。 　　使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于这个数值，否则可能损坏二极管。 　　一般取反向击穿电压的一半。 2 反向击穿电压 1 理想二极管 理想二极管的死区电压和正向电压降都等于零，反向电流也等于零，理想二极管在电路中相当于一个开关元件 。 五、二极管的等效分析 D—非线性器件 2 考虑正向压降 时的等效电