CMOS图像传感器讲述.ppt

光电探测与信号处理 CMOS图像传感器 一、 CMOS图像传感器的发展历史 二、 CMOS图像传感器的原理 三、 典型CMOS图像传感器 四、CMOS图像传感器的性能参数 五、CMOS与CCD图像传感器性能比较 一、 CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念： 互补金属氧化物半导体图像传感器 CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor CIS—— CMOS Image Sensor 电荷耦合器件图像传感器 （CCD） CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步，固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感 器： 由于受当时工艺水平的限制， 图像质量差、分辨率低、噪声降不下来，因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感 器： 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点 一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功， 80年代末，英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型 图像传感器件， 1995年像元数为（128×128）的高性能CMOS有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功， 1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化， 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS，成为开发超微型CMOS摄像机的主流产品。 2000年9月美国Foveon和国家半导体公司采 用0.18mm CMOS工艺开发出1600万像素（4096×4096）CMOS图像传感器 到目前为止, 在开发CMOS图象传感器中所采用的先进的关键技术可归纳如下： (1) 相关双取样 (CD ) 电路技术； (2) 微透镜阵列制备技术； (3) 彩色滤波器阵列技术； (4) 数字信号处理 (DSP) 技术； (5) 抑制噪声电路技术； (6) 模拟数字转换 (A/D ) 技术； (7) 亚微米和深亚微米光刻技术。 二、 CMOS图像传感器的结构 2. CMOS图像传感器的像敏单元结构 四、CMOS图像传感器的性能参数 4、噪声 （1）光敏元噪声： 热噪声、散粒噪声、g-r噪声、电流噪声 （2）MOS噪声 （3）工作噪声：复位噪声、空间噪声 5、空间传递函数 五、CMOS与CCD图像传感器性能比较 CCD图像传感器工作原理框图 CCD与 CMOS图象传感器出货量预估（单位：百万颗） 六、CMOS图像传感器的应用领域 CMOS 图象传感器的应用领域十分广泛， 国外芯片厂商： 生产CMOS图像传感器，比较著名的有： Micron（美光） Omni Vision（豪威） Mitsubishi（三菱） Kodak（ 柯达）等。 国内的CIS企业 上海派视尔、上海格科微电子、北京思比科 1.3MegaPixel与2MegaPixel产品。 格科微电子采用的仍然是传统的图形架构，每个像素前面采用单色滤色片，但采用了该公司专利的架构技术，传统Bayer图形架构会造成的色彩干扰问题得以解决；并且这种架构还使图像的层次感较强、显示较为真实；另外在图像处理方面还进行了颜色纠正，保证色彩的充分还原。 派视尔则在集成化方面大做文章。已经推出集成有自动调整聚焦控制器（AF）的200万像素级单芯片CIS。能够充分满足手机市场对图像质量、性能及易用性的要求，同时还能简化模块制造的组装过程。 请看下一节 * * CMOS图像传感器 1. CMOS图像传感器的组成 主要组成部分：像敏单元阵列和MOS场效应管集成电路 像敏单元阵列：光电二极管阵列。两部分是集成在同一硅片上。 有两种类型：被动像敏单元结构和主动像敏单元结构。 被动像敏单元结构: 只包含光电二极管和地址选通开关两部分， 公共的放大器 主动式像敏单元结构： 复位脉冲消失后，V1截止，光电二极管开始积分光信号。 场效应管V2：源极跟随放大器，进行电流放大， 场效应管V3构成模拟开关，积分结束后，V3管导通，信号输出。 场效应管V1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲出现时，V1导通，光电二极管被瞬时复位； 图像信号的输出过程： 1、光谱响应特性、量子效率 2、填充因子 填充因子＝ 3、输出特性和动态范围 随着输出模式不同，有四种