中性点箱位三电平高压变频器的过电压保护研究.docVIP

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  • 2016-12-17 发布于北京
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中性点箱位三电平高压变频器的过电压保护研究.doc

中性点箱位三电平高压变频器的过电压保护研究   摘要:本文通过利用ZnO压敏电阻接入位置和接线形式的分析,探讨了中性点箱位三电平高压变频器的过电压保护问题。本文认为将一只ZnO压敏电阻接于逆变部分输入直流母线两端和三只参数相同ZnO压敏电阻三相三角形接法接于逆变部分输出,可以实现对中性点箱位三电平高压变频器的过电压保护。   关键词:ZnO压敏电阻 接入位置 接线形式 过电压 保护   一、ZnO压敏电阻接入位置分析   使用Zno压敏电阻对中性点箱位三电平高压变频器进行外部过电压保护需要考虑Zno压敏电阻接入系统中的位置,这不但要分析外部过电压发生时,ZnO压敏电阻是否能准确及时地动作,还要分析ZnO压敏电阻动作后,是否能有效限制过电压。   当ZnO压敏电阻接于位置2时,它能很好地限制高压变频器输出发生的过电压。但是,它的残压将使系统电流增大,电流变化率也相应增大,导致输出滤波电感感应电压增大。如果输出滤波电感感应电压与ZnO压敏电阻残压正向叠加后,再通过逆变部分IGCT反并联二极管整流对直流环节箱位电容充电,则可能会导致逆变部分输入过电压。因此,当ZnO压敏电阻接于位置2时,它不能对高压变频器进行有效的过电压保护。   当ZnO压敏电阻接线位置3时,它能很好地限制直流电容两端的电压。但是,如果ZnO压敏电阻处于工作状态,直流电容两端电压上升为ZnO压敏电阻

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