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Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 杂质分布分别为高斯分布或余误差函数分布，因此 E b 是一个复杂的函数，且与位置有关。 简化起见，假定基区的杂质分布为指数分布，设为 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 把坐标原点取在发射结处 (忽略势垒区宽度)，如图 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices p n+ n x Nd - Na We Nb(x) Wb 0 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 得 负号表示自建电场的方向与 x 方向相反且为与位置无关的常数，η 称基区电场因子，为 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 上式代到 JnB 表式中，得 两端乘以 Nb (x)，有 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 从 x 到 Wb 积分，近似认为 x = Wb 处，npb = 0，则 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 结果得 忽略发射结势垒区中电子电流的复合，即用JnE 代替上式中的 JnB： Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 可见基区中的电子分布与电场因子η 密切相关，其归一化分布曲线如图所示 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 nb(qDnb / jnBWb) 0 0 0.4 0.8 1.0 x / Wb η = 0 η = 1 η = 4 η = 8 η＝ 0 相当于均匀基区η越大，基区电场越强基区中只有在近集电结处电子密度梯度才增大 Chapter 2
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