电子技术第01讲(半导体器件)(免费阅读).pptVIP

电子技术 主要内容： 模拟电子技术：半导体二极管、三极管、基本放大电路、集成运算放大器、正弦波振荡电路、直流稳压电源 数字电子技术：组合电路、时序电路 第14章 半导体器件 稳压管与普通二极管比较 稳压管工作在反向击穿区；普通二极管工作在正向导通区 稳压管反向特性比普通二极管陡，电流虽然在较大范围内变化，但稳压管两端电压变化很小，故具有稳压作用。 稳压管反向击穿电压比普通二极管低：一般二极管25-50V，稳压管则较低，6V左右的稳压管最稳定。 稳压管去掉反向击穿电压后，又恢复正常；而普通二极管则就此损坏。 （1）稳定电压UZ：正常工作下管子两端的电压。 （2）电压温度系数 ：稳压管受温度影响的程度系数。 （3）动态电阻rZ: 稳压管主要参数 （4）稳定电流IZ： （5）最大允许耗散功率PZM: PZM= UZ IZM 例1：P15，例14.4.1 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 例2：稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k?，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ? 。若负载电阻变化范围为1.5 k? ~4 k? ，是否还能稳压？ 稳压二极管的应用 分析：考察Izmin IzzIzmax是否成立。 RL ui uO R DZ i iz iL UZ UZW=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA） i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） iZ = i - iL=10-5=5 （mA） RL=1.5 k? , iL=10/1.5=6.7（mA）, iZ =10-6.7=3.3（mA） RL=4 k? , iL=10/4=2.5（mA）, iZ =10-2.5=7.5（mA） 负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用 例3：稳压管的理解P34，习题14.4.4 稳压管工作在反向击穿区域！ §14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 Jc Je Jc Je B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 三极管符号 N P N C B E P N P C B E B-Base,C-Collector,E-Emitter B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + 14.5.2 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 IB B E C N N P EB RB Ec IE 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC IC IB 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏（即UCEUBE0）。 静态电流放大倍数 静态电流放大倍数，动态电流放大倍数 ? = ICE / IBE~ IC / IB IC = ?IB 动态电流放大倍数 IB ： IB +? IB IC ： IC +? IC ? = ? IC / ? IB 一般认为： ? = ?= ?，近似为一常数， ?值范围：20~100 ? IC = ? ? IB 电流方向和JE、JC的极性：已知放大电路中两管的管脚对地电位如下，判断三个管脚，Si还是Ge管，NPN还是PNP型? P21 及其结论 T1管脚1 2 3 对地电位分别为 4 3.4 9V T2管脚1 2 3 对地电位分别为 -6 -2.3 -2V B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 14.5.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB USC USB 实验线路(共发射极接法) C B E RC UCE=常数， IB 与UBE的关系曲线（同二极管） （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V 工作压降： 硅管UBE ?