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摘 要 VDMOS是功率电子系统的重要元器件，它为电子设备提供所需形式的电源和为电机设备提供驱动。在辐照环境中使用的VDMOS器件的电学参数会在受到辐照后发生变化，影响到其在整体电路中的应用，因此对其辐照效应及抗辐照技术的研究具有重要的意义。 本文研究了功率VDMOS器件的总剂量辐照理论，借助数值仿真软件深入分析了总剂量辐照对功率VDMOS器件性能的影响VDMOS器件的总剂量辐照加固理论和方法，重点分析了薄栅氧化层技术后栅氧化层技术基于上述研究设计了一套薄栅氧化层技术结合后栅氧化层技术的功率VDMOS器件总剂量辐照加固的工艺流程，并采用该流程制造出了一种总剂量辐照加固的功率VDMOS器件。ABSTRACT VDMOS is an important component of power electronic systems, which provide the necessary forms of power source for electronic devices and power-driver electrical equipment. In Radiation environment, the electrical parameters of VDMOS devices used in the will be changed after irradiation, which affect the overall circuit, So the research of the VDMOS radiation hardened technologies is very important. The total dose radiation of power VDMOS devices are researched in this thesis. And I use numerical simulation software-depth analysis of the total dose of irradiation on the performance of power VDMOS devices, as well as the total dose of VDMOS devices reinforcement theory and method of irradiation, focusing on analysis of the thin gate oxide technology, after the gate oxide technology. Based on the above research, design a set of thin gate oxide technology after the gate oxide technology power VDMOS device total dose irradiation of the strengthening process and the process used to create a total dose of irradiation power VDMOS devices reinforcement. Key words: power VDMOS devices, a total dose of radiation, “late and thin gate” technology 目 录 第1章 引言 1 1.1课题研究价值与意义 1 1.2国内外研究现状 1 1.3 本文主要工作 3 第2章 VDMOS器件基本知识 4 2.1 VDMOS器件基本结构和优良性能 4 2.1.1 VDMOS基本结构 4 2.1.2 VDMOS器件的优良性能 4 2.2 VDMOS器件基本参数 7 2.2.1 直流漏源导通电阻Ron 7 2.2.2 漏源击穿电压BVDSS 10 2.2.3 阈值电压 10 2.3 辐射与辐射技术简介 11 2.3.1 辐照环境 11 2.3.2 辐射的主要机制 13 2.3.3 辐射的主要效应 14 2.4 本章小结 17 第3章 总剂量辐照对VDMOS的影响 18 3.1 总剂量辐照对VDMOS的影响 18 3.1.1总剂量辐照对阈值电压的影响 18 3.1.2 辐照对跨导Gm的影响 26 3.1.3总剂量辐照对击穿电压的影响 27 3.2本章小结 29 第4章 功率VDMOS器件的总剂量辐照加固理论和方法 30 4.1 MOS器件抗电离辐射加固的原则及主要方法 30 4.1.1抗辐照加固方法 30 4.1.2 MOS器件抗电离辐射加固的原则 31 4.2薄栅氧化层技术简介 32 4.2.1减小阈值电压VT的漂移