第04章_光伏探测器(免费阅读).pptVIP

第04章 光伏探测器 第04章 光伏探测器 光电二极管噪声等效功率计算 光电特性 伏安特性 伏安特性 机载照射器照射光斑监测系统 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 4.3 光伏探测器组合器件 例1：用光电耦合器隔离的高压稳压电路 4.3 光伏探测器组合器件 总 结： 4.3.1半导体色敏感器件 4.3.2阵列式光电器件 4.3.3象限式光电器件 4.3.4光电位置探测器 4.3.5光电耦合器 反向偏置电路 自偏置电路 零伏偏置电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 4.4.1自偏置电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 1．短路或线性电流放大区 2．空载电压输出区 3．功率放大区 4.4 光伏探测器的偏置电路 光电池自偏置电路 4.4.1自偏置电路 1．短路或线性电流放大区 RL0=0 (运放虚短) 放大器的输入电阻为： ri =0～10Ω 线性放大区：线性好、输出光电流大，暗电流近似为零、信噪比好，适合弱光信号检测。 4.4 光伏探测器的偏置电路 4.4.1自偏置电路 2．空载电压输出区 RL～1MΩ 光电池处于接近开路状态 光照，输出电压从 0跳跃到0.45～0.6V 空载电压输出区：具有很高的光电转换灵敏度，不需偏置电源，适合于开关或控制电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 4.4.1自偏置电路 4.4.2零伏偏置电路 两种零伏偏置电路： 0 自偏置：负载电阻为零 反偏置：反偏压很小或为零 4.4 光伏探测器的偏置电路 1．零伏偏置电路特点 中远红外波段光伏探测器： －－窄禁带（Eg很小），受热激发影响较 大，反向偏压不能大(一般为几百毫伏至一点 几伏) －－零伏偏置或接近于零伏偏置。 质量好的光伏探测器： 零伏偏置，1／f 噪声最小，暗电流为零 －－较高的信噪比。 4.4.2零伏偏置电路 2．零伏偏置电路实例 例1：自偏置_负载电阻为零 例2：反偏置_反偏压为零 4.4.2零伏偏置电路 4.4.3反向偏置电路 反向偏置电路特点： －－灵敏度、频带宽度和光电变换线性范围 4.4 光伏探测器的偏置电路 反向偏置电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 为了分析问题方便，将第三象限特性曲线旋转到第一象限 与晶体三极管输出曲线类似 1.基本反向偏置电路 4.4.3反向偏置电路 电路图： 回路方程： U(I)为光电二极管的端电压 Ub为偏置电压 负载电阻上的输出信号： 1.基本反向偏置电路 4.4.3反向偏置电路 选择负载电阻RL和偏置电压Ub ： 负载电阻的影响 偏置电压的影响 4.2 常用光伏探测器 4.2.3 硅光电三极管 原理图： 又称为光电晶体管（Phototransistor，简称PT） NPN光电三极管可等效为一个硅光电二极管和一个普通晶体管组合而成。 4.2 常用光伏探测器 4.2.3 硅光电三极管 比较：光电三极管与光电二极管 表4－3和表4－2 硅光电二极管光电特性 硅光电三极管光电特性 光电三极管：输出光电流大 光电特性“非线性” ，频率特性较差 4.2 常用光伏探测器 4.2.4 PIN光电二极管 结构： (PIN Photodiode，简称PIN PD) 在掺杂浓度很高的P型半导体和N型半导体之间夹着一层较厚的高阻本征半导体I 结电容变得更小，频率响应高，带宽可达10GHz； 线性输出范围宽 特点： 应用： 光通信、光雷达等快速光检测领域 光经波导从I层进入 PIN光电二极管工作原理 摘自国家精品课程《光纤通信技术》 --深圳职业技术学院制作 4.2 常用光伏探测器 4.2.5 雪崩光电二极管 (Avalanche Photodiode，简称APD) 内增益： M1；M1； M1 外电路单位时间内的电子数 器件内单位时间内的光电子数 APD内增益：102～103 高反压(100～200 V) 强电场 载流子加速 碰撞 新