SMT回流焊工艺控制.pptVIP

* * 封裝體起泡或開裂 此情況的出現主要是封裝體在保管過程中受潮。當受潮的封裝體在過爐時，內部的水分因受熱膨脹而產生氣體，氣體從內部釋放出來的過程便會在封裝體表面起泡或開裂。 不良的產生是元件本體受潮所引起的,元器件的儲存直接影響焊接的品質 起泡、開裂 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * SMT回流焊工藝控制 * 預熱區：PCB與材料(元器件)預熱，針對回流焊爐說的是前一到兩個加熱區間的加熱作用． 【更高預熱，使被焊接材質達到熱均衡，錫膏開始活動，助焊劑等成份受到溫度上升而開始適量的揮發，此針對回流焊爐說的是第三到四個加熱區間的加熱作用．】 恒溫區：除去表面氧化物，一些氣流開始蒸發(開始焊接)溫度達到焊膏熔點（此時焊膏處在將溶未溶狀態），此針對回流焊爐的是第五六七三個加熱區間的加熱作用． 回焊區：從焊料溶點至峰值再降至溶點， 焊料熔溶的過程，PAD與焊料形成焊接，此針對回流焊爐的是第八、九、十、三個加區間的加熱作用． 冷卻區：從焊料溶點降至50度左右， 合金焊點的形成過程。 　　　　 爐溫要求平緩﹑平穩，讓氣流完全蒸發(急速升溫和降溫都會產生氣泡，或是焊點粗糙，假焊，焊點有裂痕等現象) 爐溫曲線分析（profile） * 爐溫曲線分析（profile） 40℃ 120℃ 175℃ 183℃ 200℃ 0℃ PH1 PH2 PH3 PH4 最高峰值220 ℃±5℃ 時間(sec) 有鉛制程（profile） 有鉛回流爐溫工藝要求: 1.起始溫度(40℃)到120 ℃時的溫升 率為1~3 ℃/s 2. 120 ℃~175 ℃時的恒溫時間要控 制在60~120秒 3.高過183 ℃的時間要控制在45~90 秒之間 4.高過200 ℃的時間控制在10~20 秒,最高峰值在220 ℃±5℃ 5.降溫率控制在3~5℃/s之間為好 6.一般爐子的傳送速度控制在 70~90cm/Min為佳 溫度(℃) （圖一） * 爐溫曲線分析（profile） 40℃ 130℃ 200℃ 217℃ 230℃ 0℃ PH1 PH2 PH3 PH4 最高峰值240 ℃±5℃ 時間(sec) 無鉛制程（profile） 無鉛回流爐溫工藝要求: 1.起始溫度(40℃)到150 ℃時的溫升 率為1~3 ℃/s 2. 150 ℃~200 ℃時的恒溫時間要控 制在60~120秒 3.高過217 ℃的時間要控制在30~70 秒之間 4.高過230 ℃的時間控制在10~30 秒,最高峰值在240 ℃±5℃ 5.降溫率控制在3~5℃/s之間為好 6.一般爐子的傳送速度控制在 70~90cm/Min為佳 溫度(℃) （圖二） * SMT回流焊接分析 ¤ 在生產雙面板或陰陽板時,貼第二面(二次)過爐時,相對應的下溫區不易 與上溫區設定參數值差異太大,一般在5~10℃左右. a.如果差異太大了會導致錫膏內需要蒸發的氣流不能完全的蒸發(產生氣泡) b.一般第一次焊接後的錫在第二次過爐時,它的溶點溫度會比第一次高10%左右 c.氣泡應控制在15%以內,不影響功能 * SMT回流焊接分析 ●BGA虛焊形成和處理（此內容保留，屬個人觀點） 一般PCB上BGA位都會有凹(彎曲)現象, BGA在焊接時優先焊接的 是BGA的四邊,等四邊焊完後才會焊接中間部位的錫球,這時可能因爐 溫的差異沒能使錫膏和BGA焊球完全的熔溶焊接上,這樣就產生了虛 焊.或是冷焊現象,用熱吹風機加熱達到焊接溫度時,可能再次重焊完成. 處理這種現象可加長回焊的焊接時間(183℃或是217℃的時間). 手機主機板蔽屏蓋內BGA（無鉛），230℃以上時間應在28-45之間為宜 * SMT回流焊接分析 ●特殊性的制程式控制制 一般在有鉛錫膏和無鉛無件混合制程時,回流焊爐的溫區 設定值(實測值)要比全有鉛制程的高5~10℃,比全無鉛制程的低5~10 ℃.混合制程的最高爐溫峰值控制在230~238℃為佳. 『混合制程中,不良率較高的現象主要體現在虛焊方面,因這種特殊性制 程很難去控制有鉛與無鉛完全熔溶的最佳溫度.只能在調整爐溫時以最 重要的元件去考慮如何設定各溫區值.在BGA/IC等晶片級元件焊接正 常後去觀察其它元件的變化,再做適當的調動.』 * SMT回流焊接分析 ●手機主機板製造工藝控制（此內容保留，屬個人觀點） 手機主機板製造工藝中，不良