第1讲绪论第1章常用半导体器件.pptVIP

第1章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 1.5 其它半导体器件 第一讲 半导体基础知识 一、半导体 二、本征半导体 三、杂质半导体 四、PN结形成和单向导电性 1.1 半导体基础知识 （3）本征半导体中的两种载流子 ◎ 本征半导体： ①有两种载流子——电子、空穴。 ②电子、空穴成对产生/成对消失，浓度随温度明显改变；(浓度还与光照有关——光敏器件)。 ③常温下，载流子数目很少，导电性很差；温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 1.1.3 杂质半导体 (1)N型半导体:在本征半导体中 掺入微量５价元素，如磷、砷等。 空穴比未加杂质时的数目多了少了？为什么？ 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ (2) P型半导体:在本征半导体中掺入微量3价元素，如如硼、镓等。 1.1.4 PN结及其单向导电性 ② 少子的漂移运动： 关于PN结： (2)PN结的单向导电性 (3)PN结的电容效应 1.1 半导体基础知识 第1章 常用半导体器件 * 1.1.1 半导体 半导体——晶体管——电子电路的核心器件 导 体－－易导电（低价元素），铁、铝、铜等金属物质； 绝缘体－－难导电，高价元素（惰性气体）或高分子物质，橡胶、塑料等； 半导体－－导电性能介于导体与绝缘体之间。硅（Si）、锗（Ge）等，均为四价元素。 物质的导电性能决定于原子结构， 最外层电子数目越少，导电性越强。 图1.1 图1.2 共价键晶体结构示意图 1.1.2 本征半导体 ——纯净、具有晶体结构的半导体 （1）常用半导体材料——硅和锗简化原子结构模型，图1.1。 （2）本征半导体晶体结构 ——共价键结构 单晶体：原子排列有序、相距近 相邻原子—共有电子—共有化运动—束缚力 共价键结构。 键内电子——束缚电子(价电子) 运载电荷的粒子称为载流子。 ○常温下—共价键中价电子由于热运动而获得一定的能量, 其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子，同时必然在共价键中留下空位——空穴。“电子-空穴对” 图 1.3 ○电子(带负电) 外电场 电子电流 空穴(带正电)填补 空穴电流 ——两种载流子参与导电。 本征半导体中，自由电子与空穴是同时成对产生的, 因此，它们的浓度是相等的。即 ni=pi, 下标i表示为本征半导体。 （4）本征半导体中载流子的浓度 热运动 电子、空穴成对出现——本征激发 电子失去能量与空穴相遇 电子、空穴成对消失 ——本征复合 温度一定 动态平衡： ni=pi 磷(P) ▲N型半导体中： 多数载流子——电子 少数载流子——空穴 主要靠电子导电——Ｎ型半导体。 由于５价杂质原子可提供自由电子, 故称为施主杂质。 ① 掺杂产生大量自由电子 “.” P失去电子留下不能移动的正电离子 ② 热激发产生少量电子-空穴对 硼(B) ① 掺杂产生大量空穴 “ 。” 电子填补空穴，使B成为不能移动的负电离子 ② 热激发产生少量电子-空穴对 ▲P型半导体中： 多数载流子——空穴 少数载流子——电子 P型半导体主要靠空穴导电。 由于3价杂质原子可吸收自由电子, 故称为受主杂质。 (1)PN结的形成 ① 多子扩散运动：P、N区交界面载子浓度差—多子向对方扩散并复合。 扩散运动 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 靠近接触面:P区空穴浓度降低、N区自由电子浓度降低。 ③ PN结：当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，即达到动态平衡 宽度稳定的空间电荷区——PN结。 漂移运动 扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，P区失去空穴留下负离子，N区失去电子留下正离子——形成空间电荷区及内电场，内电场阻止多子扩散而产生少子的漂移运动。 ① 结中几乎无载流子——耗尽层、高阻区； 　 阻止扩散——阻档层、势垒区 ② 无外因时，结宽为定值：几～几十um ③ 平衡PN结（ni=pi）；非平衡PN结 PN结加正向电压：P正极、N负极 外电场削弱内电场，耗尽层变窄，扩散运动加剧，外电源的作用，形成扩散电流IF（大），PN结处于导通