《集成电路设计原理》试卷及答案方案.doc

电科《集成电路原理》期末考试试卷 一、填空题 1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2．（分）摩尔定律是指 。,各管的阈值电压，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y1= 4 V，Y2= 3 V，Y3= 3 V。 10.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y1= ；Y2= ；Y3= 。 二、画图题：（共12分） 1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系的电路图，要求使用的MOS管最少。 2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能,画出其相应的电路图。 三、简答题：（每小题5分，共20分） 1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？ 2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？ 3.简述静态CMOS电路的优点。 4.简述动态电路的优点和存在的问题。 四、分析设计题：（共38分 1.（12分）考虑标准0.13 CMOS工艺下NMOS管，宽长比为W/L=，栅氧厚度为，室温下电子迁移率，阈值电压=0.3V,计算V、V和0.9V时的大小。已知：，。