第4章光辐射的探测技术(阅读).ppt

第4章 光辐射的探测技术 光子效应分类 光热效应分类 一、光子效应和光热效应 光子效应 指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态的改变。 特点——光子效应对光波频率表现出选择性，响应速度一般比较快。 光热效应 二、光电发射效应 光电发射效应——在光照下,物体向表面以外的空间发射电子（即光电子）的现象。 光电发射体——能产生光电发射效应的物体，在光电管中又称为光阴极。 爱因斯坦方程 截止频率 三、光电导效应 光电导现象——半导体材料的“体”效应 光辐射照射外加电压的半导体，如果光波长λ满足如下条件： 光子将在其中激发出新的载流子(电子和空穴)。这就使半导体中的载流子浓度在原来平衡值上增加了一个量 和 。这个新增加的部分在半导体物理中叫非平衡载流子,我们现在称之为光生载流子。显然, 和 将使半导体的电导增加一个量 ,我们称之为光电导。相应于本征和杂质半导体就分别称为本征光电导和杂质光电导。 四、光伏效应 光伏现象——半导体材料的“结”效应 光照零偏pn结产生开路电压的效应 ——光伏效应——光电池 五、温差电效应 当两种不同的配偶材料（可以是金属或半导体）两端并联熔接时，如果两个接头的温度不同，并联回路中就产生电动势，称为温差电动势。 六、热释电效应 热释电材料——电介质 ——一种结晶对称性很差的压电晶体 ——在常态下具有自发电极化(即固有电偶极矩)。 热电体的| |决定了面电荷密度 的大小，当发生变化时，面电荷密度也跟着变化。 | |值是温度的函数——温度升高——| |减小。 升高到Tc值时,自发极化突然消失,TC称为居里温度。 热释电体表面附近的自由电荷对面电荷的中和作用比较缓慢，一般在1～1000秒量级。 热释电探测器是一种交流或瞬时响应的器件。 七、光电转换定律 光辐射量转换为光电流量的过程 ——光电转换 基本的光电转换定律： 光电探测器对入射功率响应(光电流) ——一个光子探测器可视为一个电流源。 光功率P正比于光电场的平方 ——平方律探测器——非线性器件(本质)。 §2 光电探测器的性能参数 灵敏度也常称作响应度，它是光电探测器光电转换特性的量度。 二、光谱灵敏度Rλ 注意光电探测器和入射光功率的光谱匹配 三、频率灵敏度Rf（响应频率fc和响应时间） 如果入射光是强度调制的，在其他条件不变下，光电流if 将随调制频率f的升高而下降，这时的灵敏度称为频率灵敏度Rf 一般规定，Rf下降到 时的频率fc为探测器的截止响应频率或响应频率 四、量子效率η 灵敏度R——从宏观角度描述光电探测器的光电、光谱以及频率特性 量子效率η——对同一个问题的微观—宏观描述 五、通量阈Pth和噪声等效功率NEP 通量阈——探测器所能探测的最小光信号功率 噪声等效功率NEP——单位信噪比时的信号光功率 信噪比SNR定义为： 六、归一化探测度D*(读作D星) 探测度D： 定义归一化探测度 七、噪声 依据噪声产生的物理原因,光电探测器的噪声可大致分为三类： 散粒噪声、热噪声、低频噪声 §2 常用光电探测器简介 光电导效应原理（半导体材料的体效应） ——光电导探测器 ——光照下改变自身的电阻率（光照愈强,器件自身的电阻愈小） ——光敏电阻（光导管） 本征型光敏电阻——一般在室温下工作 适用于可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻——通常在低温条件下工作 常用于中、远红外辐射探测 1 光敏电阻的结构和偏置电路 2 工作特性 光敏响应特性 光照特性和伏安特性 时间响应特性 稳定特性 3 几种典型的光敏电阻 CdS和CdSe 低造价、可见光辐射探测器 光电导增益比较高(103～104) 响应时间比较长(大约50ms) PbS InSb HgxCd1-xTe 4 使用注意事项 用于测光的光源光谱特性必须与光敏电阻的光敏特性匹配 要防止光敏电阻受杂散光的影响 要防止使光敏电阻的电参数(电压、功耗)超过允许值 根据不同用途,选用不同特性的光敏电阻 二、硅光电池——太阳电池 零偏压pn结光伏探测器 ——光伏工作模式——光电池 硅光电池的用途：光电探测器件，电源 1 短路电流和开路电压 光电池等效电路 短路电流——RL=0 开路电压——RL=∞ 2 光谱、频率响应及温度特性 光电池的频率特性不太好。 在强光照射或聚光照射情况下，必须考虑光电池的工作温度及散热措施。通常Si光电池使用的温度不允许超过125℃。 三、光电二极管 反偏电压pn结光伏探