第4章半导体存储器(免费阅读).ppt

第4章 半导体存储器 4.1 概述 4.2 随机读写存储器（RAM） 4.3 只读存储器（ROM） 4.4 CPU与存储器的连接 4.1 概述 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍半导体存储器及其组成主存的方法 4.1.2 半导体存储器的分类 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 半导体存储器的分类 1.随机读写存储器RAM 2.只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM： UVEPROM:用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的 EEPROM，但只能按块（Block）擦除 4.1.3 半导体存储器的主要指标 存储器芯片的常见指标： 容量、存取速度、可靠性、功耗、价格、电源、串/并 最重要的指标： 容量、存取速度 4.1.3 半导体存储器的主要指标 1.容量 芯片容量以bit为单位 并行数据接口多为1、4、8位 容量＝单元数×数据线位数 6264：8K×8位/片 常需多片组成存储器系统 4.1.3 半导体存储器的主要指标 2.存取速度 存取时间：从CPU给出有效地址到存储器给出有效数据的时间 CPU100MHz 存储器高速已达10ns 半导体存储器芯片的结构 ① 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元 ③ 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作 ① 存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 ② 地址译码电路 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 4.2 随机读写存储器（RAM） 4.2.1 静态RAM 4.2.2 动态RAM 4.2.1 静态RAM 1.静态RAM的基本存储电路 基本存储电路用来存储 1 位二进制信息(0 或 1)， 它是组成存储器的基础。 T-1, T-3及T-2, T-4两个NMOS反相器交叉耦合组成双稳态触发器电路。其中T-3, T-4为负载管，T-1, T-2为反相管，T-5, T-6为选通管。T-1和T-2的状态决定了存储的 1 位二进制信息。 SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵： 每个存储单元存放多位（4、8、16等） 每个存储单元具有一个地址 4.2.1 静态RAM 2.静态RAM的结构 存储矩阵、地址译码、控制逻辑 典型芯片：6116、6264、62256、628128等 注意：管脚及其功能 多用于内存容量需求低的嵌入式系统 SRAM 6116芯片 逻辑符号： 6116芯片的主要引线 地址线： A0～A10 数据线： D0～ D7 输出允许信号：OE 写允许信号： WE 片选信号： CS SRAM 6264芯片 6264外部引线图（教材P229) 逻辑符号： 6264芯片的主要引线 地址线： A0～A12 数据线： D0～ D7 输出允许信号： OE 写允许信号： WE 选片信号： CS1、CS2 4.2.2 动态RAM 1.动态RAM存储电路 4.2.2 动态RAM 2.动态RAM举例 2164A：64K×1bit 存储容量为64K×1 16个引脚： 8根地址线A7～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS* 列地址选通CAS* 读写控制WE* 4.2.2 动态RAM 读出数据 行地址选通信号RAS*有效，开始传送行地址 随后，列地址选通信号CAS*有效，传送列地址，CAS*相当于片选信号 读写信号WE*高电平，读有效 数据从DOUT引脚输出 写入数据 行地址选通信号RAS*有效，开始传送行地址 随后，列地址选通信号CAS*有效，传送列地址 读写信号WE*低电平，写有效 数据从DIN引脚进入存储