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新型FFS-TFT LCD技术 　 1.前言 虽最近几年出现几种可以改善LCD画质的技术，其中又以新型边界电场切换技术(简称为FFS:Fringe Field Switching)能同时实现高穿透性与大视角等要求，因此备受相关业者高度重视。所谓的FFS技术是藉由边界电场使面内几乎均质排列的液晶分子的电极表层内部旋转，进而产生IPS(In Plane Switching) 技术无法达成的高穿透性效应(图1)。 　 ? ? 　 ? ? ? ? ? ? ? ?IPS方式的电极幅宽w与cell间隙d之电极间距很小，施加电压时电极间会发生面内电场，液晶祇能在该部位产生光变频，光穿透领域因而受到限制。相较之下FFS方式是在画电极间距l下方设置一般电极，补助容量Cst 存在于光穿透领域，施加电压就会产生边界电场使液晶在电极上旋转，因此可获得高穿透率效果。此外传统的TFT LCD通常使用负诱电率异方性液晶(以下简称为负液晶)，其高黏度使的反应速度祇有50ms左右，加上液晶是在单一领域内单一方向的面内旋转，因此会有所谓的彩色移转现象发生。如表1所示正诱电率异方性液晶(以下简称为正液晶)的低扭转黏性，具有高反应时间与低驱动电压优点，不过正液晶的光效率不如负液晶。如果将液晶cell参数最佳化，正液晶也可获得等同于负液晶90%左右的光穿透效率。此外像素电极如果电极作成褉形结构(wedge type)并使设计参数最佳化，如此一来data电极与像素电极之间的光泄漏便会自动的被抑制，其结果是黑矩阵(black matrix)实质上可以完全不用，同时还可以增加光线穿透率，达成25ms高速反应时亦不会减损LCD的辉度，利用FFS技术的TFT-LCD的画质除了足可比美CRT之外，这种技术非常适合应用于各种尺寸的液晶显示器。 　????????? ?? 　 ?　 ? ? ? ?2.cell与液晶的设计 FFS技术具有以下特性: 1.高穿透率。 2.视角宽广。 3.无失真(cross talk)。 4.耗电量低。 5.反应速度快 6.耐压性高。 由于电极被设计成可产生边界电场之结构，因此最初的液晶分子系同质(homogeneous)排列于直交偏光组件内。当电极表面的垂直距离为0.4μm时，强大的水平电场会出现在像素电极(pixel)端缘(edge)附近，以及水平电场Ey 与垂直电场Ez两电极的中心到端缘之间，此时及水平电场Ey在电极中心为零。电极表面的垂直距离为3μm时，水平电场Ey与垂直电场Ez的强度变弱，垂直电场 在电极中央上呈最大值，在电极端缘为最小，这种电场分布特性是因为液晶分子配向所造成的，所以它的特性与应用格外受到嘱目(图2)。 ?? ? ? ? ? ? 假设俯仰角(tilt)为θ、扭转角(twist)为? 、内部cell间隙(gap)为d时，正液晶的电场特性如图3所示，图中的A1是端缘位置，A2是端缘至中心之间的位置，A3是一般电极的中央位置。液晶的研磨角α(rubbing angel)与边界电场水平方向成78° ，俯仰角θ为2° 。由图3可知液晶分子在下方基板表面附近的上方俯仰，尤其是A2的最大俯仰角比其它部位更大，A2的最大俯仰角受到强大的垂直电场影响，正液晶时为-400 (负符号表示与初始方向相反)。 ? 　 ? ? ? ? ? ? 有关扭转角? ，正液晶时它A1的扭转角? 与A1液晶分子形状成 680扭转，如此小的扭转角几乎和TN-LCD相同；A2、A3位置最大俯仰角θ分别是30° 与50° ，这表示A1的光线穿透率比A3大，同时也意味着正液晶的FFS光学特性与低扭转角的TN-LCD相同；A2的俯仰角θ大约是40° ，换句话说A3液晶分子旋转的弹性力量相对得比负液晶组件微弱，这也是正液晶的光线穿透率(或称为光透过率)比负液晶小的原因。从以上诸多的现象显示FFS与IPS或是负液晶组件(device)有截然不同的差异。如图4可知正液晶的FFS cell光效应Δnd值比负液晶IPS大，而且它是存在于TN的初始最小值(first minimum)与IPS组件之间，且正液晶的FFS光效率是研磨角α的关数(图5)。负液晶的FFS研磨角α在120 到300 之间，它的最大光线穿透率几乎未受任何影响；相较之下正液晶的FFS的α从780 变化到 600时，最大光线穿透会出现明显变化，这些都是IPS与负液晶组件所没有的特性。不过α角为450 时由于液晶的director最大扭转角无法达到450 ，因此它的最大光线穿透率会变小。根据以上的现象可知祇要充份掌握研磨角α、FFS组件cell的参数与光线穿透率的互动关系，就能使正液晶获得等同于负液晶90%左右的光穿透效率。 　????? ? ? 　 ?　 ? ?