2.12 存器.ppt

ROM128存储器工作原理 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ? 与Y0相连的所有二极管导通，相应的位线变为低电平，未与Y0跨接二极管的位线保持高电平。 假设仅短路Y0与D0交叉处二极管11111110 假设仅在Y0与D0交叉处连接二极管，若输出使能控制信号 OE=0，则输出1111 1110B。 怪愉缝拜峦能缀季慕筹仲待野粉哗阉戊役奠叹孽卉伏类换雷肛榆刘尧绕久2.12 存储器2.12 存储器 多输入输出组合逻辑电路实验 实验 步骤 1、连线； 注意A9实验区的连接：先连接JPR4，然后将JPR3与实验大板上的Vcc与GND用杜邦线分别连接以接通电源。 搔冶泪躲情姬嘉恤脱健矢贡远犯浙爽碰赚捶关淬浊侯见滁邯猜伺朽撼镊误2.12 存储器2.12 存储器 多输入输出组合逻辑电路实验 实验 步骤 1、连线； 2、对ROM128编程，示例详见表4.23； 插上短路器连接二极管相当于存储一个0，否则存储1 吵徘眠涡鸿欲喉冤缘蝶霖脖纲忌爪吵宅鲸祸律歌呀缅怠尾夯响廖德肤玖糯2.12 存储器2.12 存储器 多输入输出组合逻辑电路实验 实验 步骤 1、连线； 2、对ROM128编程，示例详见表4.23； 3、拨动开关KA0 ~ KA3，通过LED的显示状态找到对应的关系。 例：拨动KA0~KA3使A3~A0输入1101，根据ROM128中存储的数据，LED显示状态如图中所示。 1 0 1 1 1 0 1 1 0 0 0 0 酸爆嘛息武吾顽滔戮孰想垃蓑狰套绸管申刷迄抗纽辩团殊沥随荔忽磷域槐2.12 存储器2.12 存储器 LED流水灯实验 实验步骤 1、连线； 2、对ROM128编程，参照“LED流水灯编码表”； 3、按键S7、S8、S9，分别实现清零、LED流水灯步进和快速显示。 注意，使用按键S9时可通过JP23调整LED流水灯的速度。 肾莲戴鲜武酪郝锄翟孩单缎哥碾躯币致拉价烘轧狐锦撒型侣腔辟往阅馈鸯2.12 存储器2.12 存储器 2.12.1 只读存储器ROM 2.12.3 随机访问存储器 2.12.4 数据的存与取 目 录 2.12.2 ROM128存储器实验 属契争尚灰疮洗肪促脂拟蔗柬烂挑锦堤际戒煮喧拨遏幸呜红卞稽拄黔呕掀2.12 存储器2.12 存储器 随机存取存储器分类 静态RAM(SRAM) 存储单元由锁存器(或触发器)构成，有2个稳定状态来存储1位二值信息，只要不断电所存储的数据就可以长期保存，因此也称它为静态的。 动态RAM(DRAM) 存储单元是靠内部寄生电容充放电来记忆信息，电容充有电荷为逻辑1，不充电为逻辑0，而电容是会漏电的，因此需要外部电路进行刷新操作才能确保数据不丢失，因此称它为动态的。 返熬藻啄瑟徽沈氖最拳梢仪房檬碉接哆寅有桑丘辐铃京井颠宿芜截底乖红2.12 存储器2.12 存储器 特点： SRAM基本结构　　 存储阵列 地址译码器 I/O控制电路 + + A0 A1 An-1 CE WE OE I/O0 I/Om-1 SRAM结构框图 属于时序 逻辑电路 可读可写 存储单元是由锁存器(或触发器)构成 舞窥子莆棺抨绝咨制病肃已源然骏膝悄多脚畴寝廓待记揉蕊霉穿芋碴只闯2.12 存储器2.12 存储器 SRAM结构框图 SRAM基本结构　　 存储阵列 地址译码器 I/O控制电路 + + A0 A1 An-1 CE WE OE I/O0 I/Om-1 n位二进制地址线 m位双向数据线 总容量：2n×m 片选信号 写使能 信号输入 输出使能 信号输入 = 0时，RAM才能进行正 常的读写操作，否则三态缓冲器均为高阻，SRAM不工作，功耗极低。 CE 衔伏谓醋己沥鸿亏猿殊龙瓶酣纤骄鸭诺架峡删脾糯学旬铆娱惹惋则锑泥埂2.12 存储器2.12 存储器 SRAM特性　　 SRAM结构框图 存储阵列 地址译码器 I/O控制电路 + + A0 A1 An-1 CE WE OE I/O0 I/Om-1 CE WE OE 1 I/O0~ I/Om-1 功能描述 0 0 0 × × 1 0 1 0 × 1 高阻 数据输出 数据输入 高阻 不工作 读 写 地址移码 输入 输出 SRAM特性表 缺点：存储单元管子数目多，成本高，集成度受到限制，因此目前在计算机系 统中SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存，仅 有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。 优点：性能好、速度快。 镰