2015半导体复习提纲.pptVIP

* * 简并半导体:对于高掺杂的n型或p型半导体， 将高于 ，或低于 。此种半导体称为简并半导体。 漂移：在外电场作用下载流子的定向运动称为漂移运动。扩散：载流子从高浓度的区域移往低浓度的区域的运动。 量子隧穿：两个隔离的半导体样品彼此接近时，势垒高qV0等于电子亲和力qχ，当距离足够小，即使电子的能量远小于势垒高，在左边半导体的电子亦可能会跨过势垒输运，并移至右边的半导体。这个过程称为隧穿。 雪崩过程：当半导体中的电场增加到超过某一定值时，载流子得到足够的动能产生电子－空穴对的过程。 晶体管的放大作用：由邻近的射基结注射过来的空穴可在反向偏压的集基结造成大电流，这就是晶体管的放大作用。 功函数：费米能级和真空能级之差 欧姆接触：当金属-半导体接触的接触电阻相对于半导体主体或串联电阻可以忽略不计时，则可被定义为欧姆接触。 肖特基势垒接触：具有大的势垒高度，以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触。 阈值电压：形成强反型层时沟道所对应的 称为阈值电压 CMOS：由成对的互补p沟道与n沟道MOSFET所组成 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 分析pn结