北邮半导体物理第5章习题解释.pptVIP

第五章 非平衡载流子（非平衡半导体） 1. 解： 2. 空穴在半导体内均匀产生，其产生率 解： 由空穴连续性方程， 由于杂质均匀分布、体内没有电场、非平衡载流子均匀产生，所以， 得到非平衡空穴所满足的方程， 达到稳定状态时的非平衡空穴浓度， 光照下，产生和复合达到稳定时， 3. 解： 半导体内光生非平衡空穴浓度， 光照下，半导体的电导率， 光照下，半导体电阻率， 光照下，电导中少数载流子（空穴）贡献的比例， 4. 解： 光照停止后的非平衡空穴浓度， 0 t 停止20微秒后， 5. 解： 无光照的电导率， 有光照的电导率， 光照下，半导体处于非平衡态，其偏离程度由电子准费米能级、空穴准费米能级描述。 小注入时，空穴准费米能级比平衡费米能级更靠近价带顶，但偏离小。电子准费米能级比平衡费米能级更靠近导带底，且偏离大。 6. 光照前 光照后 7. 没有光照时，半导体的平衡费米能级位置， 解： 光照小注入下，导带电子浓度， 小注入下，电子准费米能级位置， 小注入下，价带空穴浓度， 小注入下，空穴准费米能级， 8. 解：从题意知，P型半导体，小注入下，复合中心的电子产生率等于空穴捕获率， 电子产生率 空穴俘获率 对于一般的复合中心， 因为半导体本征费米能级， 对一般掺杂浓度的P型半导体，其平衡费米能级远在禁带中央能级以下。从上式中得出复合