crosslight(GaAs)要点.pptVIP

目录 1：Si PN 2: Si PIN 3：GaAs PN 4： Al0.4GaAs PN 5： Al0.4GaAs PIN 6.总结 对吸收峰值的分析 λ=1.11um时，Si材料才能吸收光，但是在1.11um附近，由于光的能量hv不是很大，虽能激发电子的跃迁，不过也只是导带低电子才能跃迁，其他的很难。所以响应不是很强。 λ太小，光的能量太强，虽然很容易激发电子的跃迁，却也加剧了其他不利条件的影响，比如散射加强，这时候响应也不会太大。 峰值处，是各个条件均衡的一个协调点。偏离它，响应都会减小！ GaAs PNno active macro GaAswith active macroR@0v Al0.4GaAs pinwithout window layerR@0v GaAs /AlGaAs /AlGaAs pinwith window layerR@0v * 对比着两张图，可以看到，当加上光后，PN结的I-V曲线往下移动了。 0.235 0.23 分析： 1.Si PN结在其他条件一样的情况下，在-1v和0v时候的最大响应率分别为0.235和0.23，对应的波长都为0.55um。从响应0.235和0.23之差0.005可以看出，当加上反向偏压后，响应率增加了！解释：反向偏压使PN结耗尽层宽度变宽，光在耗尽层中得吸收就增加了，所以响应率有所增加。 2.从响应