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第六章 pn结二极管：I-V特性 6.1理想二极管方程 将二极管电流和器件内部的工作机理，器件参数之间建立定性和定量的关系。 6.1.1 定性推导： 分析过程，处理方法 6.1.2定量推导： 建立理想模型-写少子扩散方 程，边界条件-求解少子分布函数-求扩散电流-结果分析。分析实际与理想公式的偏差 6.2 与理想情况的偏差 分析存在那些偏差与造成偏差的原因  1.热平衡状态 3.反向偏置： 势垒高度变高，n型一侧几乎没有电子能越过势垒进入p区，p区一侧有相同数目的电子进入耗尽层扫入n区，形成少子漂移流，同理n区的空穴漂移形成IP，因与少子相关，所以电流很小，又因为少子的漂移与势垒高度无关，所以反向电流与外加电压无关。 6.1.2 定量求解方案 (5) 忽略耗尽区内的产生与复合，即认为 电子、空穴通过势垒区所需时间很短，来不及产生与复合，故通过 势垒区的电流为常数。 方法步骤： （1）扩散方程 （2）边界条件 （3）求解方程得到少子分布函数表达式 （4）由少子分布函数求出流过pn结的电流 欧姆接触边界条件 （4）载流子电流 （4）载流子浓度 6.2 与理想情况的偏差 6.2 与理想情况的偏差 2、反向偏置的击穿 当反向电流超过允许的最大值（如1mA或1?A）时对应的反向电压的绝对值称为击穿电压VBR. 对于