CH05场效应管放大电路1.pptVIP

5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 共源极放大电路 直流通路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误。 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 。试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： P212例5.2.1 设Rg1=60k?，Rg2=40k?， Rd=15k?， VDD=5V， VT=1V， N沟道增强型MOS管电路的直流计算步骤： （1）设MOS管工作在饱和区： 须满足VGS VT ，IDQ0， （3）如果 VGS VT，则MOS管可能截至； 如果 ，则MOS管可能工作在可变电 阻区。 （2）利用饱和区的电流-电压关系（曲线）分析电路。 （4）如果初始假设被证明是错误的，则必须作出新的假设，同时重新分析电路。 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要