第四章化学气相沉积1.pptVIP

1、基本介绍 气相沉积技术： 化学气相沉积法 (Chemical Vapor Deposition，CVD): 利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。 2、化学气相沉积的装置 CVD装置通常： 气源控制部件； 沉积反应室； 沉积温控部件； 真空排气和压强控制部件； 增加激励能源控制部件（在等离子增强型或其它 能源激活型CVD装置）。 CVD对原料、产物及反应类型的要求 1.反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 2.反应易于生成所需要的沉积物而其中副产品保留在气相中排出或易于分离. 3.整个操作较易于控制。 3、CVD分类 根据反应类型不同分为： 热解化学气相沉积 化学合成气相沉积a、氧化还原反应沉积 b、化合反应沉积 化学输运反应沉积(可逆反应） 根据激活方式不同分为： 热激活：电阻加热、感应加热、红外辐射加热 等离子增强的反应沉积（PCVD) （PECVD) 激光增强的反应沉积（LCVD) （LICVD) 微波电子共振等子离CVD 2.1 热解化学气相沉积 1、氢化物：氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低，唯一的副产物是没有腐蚀性的氢气。 原料：通常IV B族ⅢB族和ⅡB族的一些低周期元素的氢化物如CH4、siH4、GeH4、B2H6、PH3、As