对准机简报1课程.pptVIP

步進式對準機 課程大綱 .微影成像簡介 .基本光學概要 .stepper架構 3-1 outline 3-2 alignment system 3-3 wafer stage 3-4 illumination system and projection lens .設備管理 .next generation and DUV laser .重要名詞 步進式對準機 1.微影成像簡介 1-1 概念 石版印刷術(lithography)使用一片片的平板浮雕,在每一片沾上不同顏色的油墨,依次分別印到紙上,每一層顏色之間必須互相精確對準(align)至某一可接受的誤差範圍,以完成一頁文稿或圖片. 積體電路工業使用的微影成像術(micro-lithography)可完全類比於上述之石版印刷術,平板浮雕就像光罩,油墨就像光源及光阻劑, 印刷紙就是晶片, 微影成像術是半導體工業的關鍵技術之一,因為在製造程序(process)中,依製程之複雜度,被一再反復使用,以製作每一層電路,不僅影響元件的品質,甚且影響生產力以及成本, 步進式對準機 依序將每一層電路印到晶片上 步進式對準機 光阻有分正負, 正光阻運用較為廣泛 步進式對準機 步進式對準機 1-2 製程及步驟: 步驟 說明 去水烘烤 By hot plate, proximity,用以去除水氣 80~300°C 60 sec HMDS 塗佈 Hexamethyldisilazane, 加強光阻與晶片間黏合強度 冷卻 冷卻至塗佈光阻的適當溫度,使厚度均勻 抗反射層塗佈 Top ARC or bottom ARC, TARC在光阻塗布之後.用以避免light scattering造成notching 現像導致斷線,及降低駐波現像 光阻塗佈 By spin coating method, related to dispense method,spin speed, acceleration, temperature, humidity, supply air flow ,exhaust, resist and substrate 膜厚量測 Thickness and uniformith, skip in normal process 晶邊及晶背清洗(EBR) 避免光阻殘餘污染aligner exposure chuck, back side particle導致local de-focusing問題 soft-bake 去除大部份光阻內部solvent,影響光阻靈敏度. 90~110°C, 60~90 sec 步進式對準機 冷卻 對準 Pre-align, search align, EGA, Die by Die… 曝光 time mode or integrator mode, varies light source, to convert PAC to alkali-soluble compound WEE wafer edge exposure, more precisely remove wafer edge photo resist for next process post exposure bake 降低駐波效應(standing wave) 100~110°C, 60~90 sec 顯影 hard-bake or UV curing 硬化光阻, 120~150°C, 60~90 sec CD measurement Sampling, critical dimension誤差應為10%以內, 主要貢獻來自auto- focusing/leveling 及exposure dosage Registration measurement Sampling, 誤差應為CD的30%以內, 主要貢獻有alignment error, distortion, machine matching Auto correction parameter feed back 藉由以上量測的