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光敏电阻特性及应用实验报告2016年4月18日实验三光敏二极管特性实验一．实验目的：１．熟悉光敏二极管的结构和光电转换原理。２．掌握光敏二极管的暗电流及光电流的测试方法。３．了解光敏二极管的特性，当光电管得工作偏压一定时，光电管输出光电流与入射光的照度（或通量）的关系。二．实验原理: 光敏二极管是一种光生伏特器件，用高阻 P 型硅作为基片，然后在基片表面进行掺杂形成 PN 结，N 区扩散区很浅为 1um 左右，而空间电荷区（即耗尽层）较宽，所以保证了大部分光子入射到耗尽层内，光被吸收而激发电子——空穴对，电子——空穴对在外加反向偏压的作用下，空穴流向正极，形成了二极管的反向电流即光电流。光电流通过外加负载电阻 RL 后产生电压信号输出。光敏二极管原理如图（9）所示。在无光照的情况下，若给 P—N 结一个适当的反向电压，则反向电压加强了内建电场，使P—N 结空间电荷区拉宽，势垒增大，流过 P—N 结的电流（称反向饱和电流或暗电流）很小，它（反向电流）是由少数载流子的漂移运到形成的。当光敏二极管被光照时，满足条件 hv≧Eg 时，则在结区产生的光生载流子将被内场拉开，光生电子被拉向 N 区，光生空穴被拉向 P 区，于是在外加电场的作用下以少数载流子漂移运动为主的光电流。显然，光电流比无光照时的反向饱和电流大得多，如果光照越强，表示在同样条件下产生的光生载流子越多，光电流就越大，反之，则光电流越小。当二极管与负载电阻 RL 串联时，则在 RL 的两端便可得到随光照度变化的电压信号，从而完成了将光信号转变成电信号的转换。光敏二极管在无光照时，在所加反向电压作用下，仍会有反向电流流过，这种电流的数值很小，称为暗电流。暗电流值是光敏二极管传感器的重要参数之一，它影响光敏二极管的光电变换质量和工作稳定性，因此希望它数值越小越好。在无辐射作用的情况下，PN 结硅光敏二极管的正、反向特性与普通 PN 结二极管基本一样，均为图（10）所示的伏安特性曲线，当有光照时，PN 结硅光敏二极管的反向输出特性曲线如图（11）所示。图（12）所示为典型光电二极管的短路电流—光照度特性曲线。定义光敏二极管的光谱响应为以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光敏二极管时，其电流灵敏度或响应程度与波长的关系为光谱响应，图（13）为光敏二极管的光谱特性曲线。光敏二极管传感器的短路光电流也是随环境温度而有微小改变的。温度上升，短路光电流也随之均增大。三．实验所需部件：光敏二极管、直流稳压电源、负载电阻(实验选配单元中可变电阻)、遮光罩、光源、数字电压／频率表(自备 4?1/2 位万用表).、微安表（或自备 4?1/2 位万用表上的 200mA? 档）、照度计（自备或另购）?四．实验步骤：１．按图（14）接线,要注意光敏二极管是工作在反向工作电压的，由于硅光敏二极管的反向电流非常小，所以应视实验情况逐步提高工作电压，如有必要可用稳压电源上的±10V 或±12V 串接。２．光敏二极管的暗电流测试，用遮光罩盖住光敏二极管，选择合适的电路反向工作电压,选择适当的负载电阻。打开仪器电源，调节负载电阻值，微安表显示的电流值即为暗电流，或用 4?1/2 位万用表 200mV 档测得负载电阻 R 上的压降 U 暗，则暗电流 I 暗=U 暗/R。一般锗光敏二极管的暗电流要大于硅光敏二极管暗电流数十倍，可在试件插座上更换其他光敏二极管进行测试做性能比较。３．光敏二极管的光电流测试，缓慢揭开遮光罩，观察微安表上的电流值的变化,（也可将照度计探头置于光敏二极管同一感光处，观察当光照强度变化时光敏二极管光电流的变化）或是用 4?1/2 位万用表 200mv 档测得 R 上的压降 U 光,光电流 I 光=U 光/R，如光电流较大，则可减小工作电压或调节加大负载电阻。４．光敏二极管的伏安特性测试，按图(14)连接实验线路,光源选用高亮度卤素灯,分别调节至“弱光”、“中光”和“强光”三种照度，负载电阻用万用表确定阻值1K欧姆，将可调光源调至一种照度，每次在该照度下，测出加在光敏二极管上的各反向偏压与产生的光电流的关系数据，其中光电流（1KΩ为取样电阻），在三种光照度下重复上述实验。光敏二极管伏安特性测试数据表（照度：? 弱??）电压（伏）246810Ur（毫伏）15.415.8316.1516.4216.62电阻（千欧姆）1286848370.517486.2107600.6847光电流(毫安)0.01540.015830.016150.016420.01662光敏二极管伏安特性测试数据表（照度：? 中??）电压（伏）246810Ur（毫伏）34.1835.0535.7336.2936.77电阻（千欧姆）57.513751113.1227166.9261219.4464270.960