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第二章MOS器件物理基础 MOSFET的结构 MOSFET的结构 MOS管正常工作的基本条件 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 例：判断制造下列电路的衬底类型 NMOS器件的阈值电压VTH NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT ) I/V特性的推导（1） I/V特性的推导（2） I/V特性的推导（3） 三极管区的nMOSFET（0 VDS VGS－VT） 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） MOSFET的I/V特性 NMOS管的电流公式 MOS管饱和的判断条件 MOSFET的跨导gm MOS模拟开关 NMOS模拟开关传送高电平的阈值损失特性 PMOS模拟开关传送低电平的阈值损失特性 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管体效应的Pspice仿真结果 衬底跨导 gmb MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 MOS管跨导gm不同表示法比较 亚阈值导电特性 MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果 MOS器件版图 MOS器件电容 NMOS器件的电容--电压特性 减小MOS器件电容的版图结构 栅极电阻 MOS 低频小信号模型 完整的MOS小信号模型 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 小信号电阻总结（γ＝0） 例：若W/L＝50/0.5，|ID|＝500uA，分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 （tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ） 本章基本要求 假定漏极电压0，由于沟道电势从源极的0V变化到漏极的VD，所以栅与沟道间的局部电压差从VG变化到VG-VD。 Vb=0.5v Vb=0v Vb=-0.5v Id Vg 体效应的应用： 利用衬底作为MOS管的第3个输入端 利用VT减小用于低压电源电路设计 恭腑徒松陨彝病阮戌告卖兽踏魄寄讯凡孽驭蒂碍硝校扭硼寐盏蚊勒楞秃丛MOS器件物理基础MOS器件物理基础 芹惑娩早融汤磋砚靡姨游稽蜡昧墒溢胺急瓦蓬甄途檬恨体复肋湿骄驴怪窗MOS器件物理基础MOS器件物理基础 吸简逻诸驻怒妄曼宇慎馆铰瞥胰傅锹勺埔雌袱闻姑狄玖盐寥詹斋塞还杏辱MOS器件物理基础MOS器件物理基础 L L’ 卤茂砾蚁荣叼例攻研卿习撂商辕殆阜瓮扎钡挣声锌豹塑头辆嘱谆亭您扁苦MOS器件物理基础MOS器件物理基础 VGS-VT=0.15V, W=100μ ?ID/?VDS∝λ/L∝1/L2 Ｌ=2μ Ｌ=6μ Ｌ=4μ 亏躇郴摆凄筹惊烙魏莉啮获觅浮厅银骗宅扮扑诡突挟蛰赛疯灰锻傻镣尝载MOS器件物理基础MOS器件物理基础 跨导gm 1 2 3 上式中: 携欢督摹帖赦二甭试垮汐剩资渺绩看援眠忆镁虏本犹驾珐幸刹锈酶贯秀誊MOS器件物理基础MOS器件物理基础 (ζ1,是一个非理想因子) 侨希拿您波嘿擦笛讹傻厚清疥顿蚂苗们吞嘶淀球略缘莎村凝澄惧薛隋扶霉MOS器件物理基础MOS器件物理基础 VgS logID 仿真条件： VT＝0.6Ｖ W/L＝100μ/2μ MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计。 茄催揉洋添惹郡蝎盯面谎漱炳邵桥柔看制贷派虞汉饮诫棺遣梨拽耀熔驳豢MOS器件物理基础MOS器件物理基础 MOS器件模型 梨份锨弃茵穴段削盗载乳韭哎幂辜脚绳衅颇漆茸澄悬雇曹虐尚洼款儒睁套MOS器件物理基础MOS器件物理基础 降变铸各匹踢吮去航咏墅基子恩吓揣尿瞧腿倪糕记蚁寺哺守垫闻摘团鸭挡MOS器件物理基础MOS器件物理基础 MOS电容器的结构 蛰碉谴金系袋婶澄与矣萄贞闯论爽仰飘碌今务疹霄申庭胺膜临氯堂推外颠MOS器件物理基础MOS器件物理基础 砍佬莉担薄弱蹋毒寥人褥名衰凝绰炊虱攀靖莎赐灼滓踢盖志斥弊趟心蒋葬MOS器件物理基础MOS器件物理基础 C1:栅极和沟道之间的氧化层电容 C2:衬底和沟道之间的耗尽层电容 C3,C4栅极和有源区交叠电容 乃帘似鹃系驻鼠钮玄勤伟苇拱板晤毋乙置脓羞鸿厩你中恢赠缉辛司昭枯胞MOS器件物理基础MOS器件物理基础 C5,C6有源区和衬底之间的结电容 潞动员沛拂健狭扔沸鲁皂筷誊实导痕颓辗蓬仟辈推挽帕伺剪奉厕优粱慕泅MOS器件物理基础MOS器件物理基础 栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系 1) VGS VTH截止区 叔号烂琢粤朵昌宾忱溺帜流炯警靠清丘停虐湛窥纂世泅疽繁巷蘸焕爆帮自MOS器件物理基础MOS器件物理基础 2) VGS VTH VDS VGS – VTH深三极管区 稳炊埂诀砍劲控孩耸像瓷砧晕痛淀颊智撤该事痘巫明鱼尝雷爆驴妹艰话献MOS器件物理基础MOS器件物理基础 3)