模拟电子术-第1章.docVIP

模拟电子技术-第1章 本文由fangjie1981zj贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 模拟电子技术 第1章 半导体器件 1.1 半导体的特性 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应三极管 各种电子线路最重要的组成部分是半 导体器件。本章讨论半导体的特性和PN结 导体器件。本章讨论半导体的特性和 结 的单向导电性， 的单向导电性 ， 然后分别介绍半导体二极 管 、 稳压二极管 、 双极性三极管以及场效 稳压二极管、 应管的结构、工作原理、特性曲线、 应管的结构 、 工作原理 、 特性曲线 、 主要 参数和等效电路。 参数和等效电路。 1.1 半导体的特性 自然界中的物质， 自然界中的物质，依其导电能力的强 通常可分为3大类 导体、 大类： 弱，通常可分为 大类：导体、绝缘体和半 导体。 电阻率低于10 的物质为导体， 导体 。 电阻率低于 -4 ·cm的物质为导体 ， 的物质为导体 如铜、铝等。 如铜 、 铝等 。 导体原子的最外层电子数目 少 ， 很容易摆脱原子核束缚而形成自由电 在外电场作用下， 子 ， 在外电场作用下 ， 这些自由电子将逆 着电场方向作定向运动形成较大的电流， 着电场方向作定向运动形成较大的电流 ， 因此导体的导电能力强。 因此导体的导电能力强。 把在电场作用下， 把在电场作用下 ， 能运载电荷形成电流的 带电粒子称为载流子， 带电粒子称为载流子，显然自由电子是一种载流 电阻率高于10 的物质为绝缘体， 子 。 电阻率高于 9 ·cm的物质为绝缘体 ， 如云 的物质为绝缘体 橡胶等， 最外层电子数大多为8个的稳定结 母 、 橡胶等 ， 最外层电子数大多为 个的稳定结 其原子核对最外层电子的束缚力很大， 构，其原子核对最外层电子的束缚力很大，常温 下能形成自由电子的数目很少，因此导电能力差。 下能形成自由电子的数目很少，因此导电能力差。 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，如硅、 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，如硅、 锗等。制造半导体器件的材料都要制成单晶体， 锗等。制造半导体器件的材料都要制成单晶体， 如单晶硅或单晶锗，它们是由原子按一定的规则 如单晶硅或单晶锗， 整齐地排列（空间点阵）而成的， 整齐地排列（空间点阵）而成的，由于这种半导 体非常纯净，几乎不含杂质，结构又完整， 体非常纯净，几乎不含杂质，结构又完整，所以 称为本征半导体。 称为本征半导体。 半导体的导电性能同样与其原子结构 有关。硅和锗的原子结构有一个共同点， 有关 。 硅和锗的原子结构有一个共同点 ， 即都是四价元素， 即都是四价元素 ， 其原子的最外层电子数 都是4个 都是 个，原子的最外层电子通常称为价电 价电子受核的束缚力最小， 子 。 价电子受核的束缚力最小 ， 半导体的 导电性能与价电子有关， 导电性能与价电子有关 ， 内层电子与原子 核构成稳定的惯性核，若用+4代表惯性核 核构成稳定的惯性核 ， 若用 代表惯性核 所具有的电荷量，则可以用图1.1表示硅或 所具有的电荷量，则可以用图 表示硅或 锗的简化原子结构模型。 锗的简化原子结构模型。 图1.1简化原子结构模型 简化原子结构模型 硅或锗制成单晶体后， 硅或锗制成单晶体后，由于晶体中原 子之间距离很近， 子之间距离很近 ， 价电子不仅受到其所属 原子核的作用， 原子核的作用 ， 还受到相邻原子的原子核 的吸引， 的吸引 ， 即一个价电子为相邻的两个原子 核所共有。如图1.2所示，这样，相邻原子 核所共有。如图 所示，这样， 所示 之间通过共有价电子的形式而紧密结合起 来，即形成“共价键”结构。 即形成“共价键”结构。 图 1 2 共 价 键 结 构 . 1.1.1本征激发 1.1.1本征激发 本征半导体晶体原子间的共价键具有 很强的结合力， 在绝对零度（ 很强的结合力 ， 在绝对零度 （ -237℃ ） 时 ， ℃ 价电子无法挣脱共价键的束缚，不能自由 价电子无法挣脱共价键的束缚， 移动， 移动 ， 所以共价键内的价电子又叫束缚电 这样虽然有大量的价电子， 子 ， 这样虽然有大量的价电子 ， 但没有自 由电子，此时，半导体不导电。 由电子，此时，半导体不导电。 当温度上升或受光照时， 当温度上升或受光照时，价电子以热 运动的形式不断从外界获得一定的能量， 运动的形式不断从外界获得一定的能量 ， 少数价电子因获得的能量较大， 少数价电子因获得的能量较大 ， 而挣脱共 价键的束缚，成为自由电子， 价键的束缚 ， 成为自由电子 ， 同时在原来 的共价键的相应位置上留下一个空