工程电磁场原理part20.ppt

December 7, 2004 * 4.3 典型MQS的场问题 4.3.1 集肤效应与透入深度 (1) 低频交变电流的工况 和 ? 准静电流场 此时，即可忽略位移电流，又可忽略感应电场。导体中电磁场的基本方程为 时变电流场与观察瞬间看作直流的恒定电流场结果相同 4.3 典型MQS的场问题 4.3.1 集肤效应与透入深度 (2) 高频交变电流的工况 ——良导体条件 MQS 此时仍可以忽略位移电流的作用– MQS场 4.3 典型MQS的场问题 4.3.1 集肤效应与透入深度 (2) 高频交变电流的工况 MQS 这类MQS问题的特点：导体内因传导电流的磁场激励所产生的感应电场与传导电流的电场相比，已不能忽略，从而导致场量主要分布于导体表面的现象----趋肤效应(Skin Effect)。 Ⅰ 导电媒质中MQS场的基本方程 和 Ⅰ 导电媒质中MQS场的基本方程 电磁场的扩散方程 Ⅱ 基本方程的相量形式： 若场量H、E是随时间变化的正弦量（稳态），则可以复数表示 Ⅱ 基本方程的相量形式： 电磁场扩散方程的相量形式(复数形式)即为 Ⅲ 平表面半无限大导体中的电的趋肤效应、透入深度 半无限大导体位于x0的平面上 表征为一维场 仅为坐标 x 的函数 基本方程归结为 工程上，为表征电的趋肤效应，亦即沿导体纵深方向场量衰减的特征，定义 透入深度 （skin Depth) 它表征了场量衰减到表面值 时所对应的距离 Ⅳ 内阻抗的计算 因导体内部时变电磁场的分布(电的趋肤效应)全然不同于恒定电磁场的分布，故相应的电路参数的计算——电阻R和内电感Li (构成内阻抗Zi=R+j?Li ) 就必然有所不同 例4-3 计算前图中沿电流方向单位长度( l = 1 )，单位宽度( b = 1 )的半无限大导体的内阻抗。 截取图中所示平行六面体( a d，且a ? ? ) 为什么？ 根据高斯定理 取积分路径如右图所示 在任何频率下，不透过的平表面导体 (d ? d ) 的有效电阻(交流电阻)和内电抗的值是相等的，且其值随f ? 而 ? ，但应注意，f ?，Li却是减小 对于平表面导体，其R (有效电阻)的计算，可归结为取厚度为透入深度d的表面层截面为导体截面S，然后按直流电阻的计算公式，即 由上可知，交流 I 在平表面导体内耗散的功率等同于一安培数的直流 I 在厚度为d的导体表面层中耗散的功率 高频下，镀银线的应用 ⅰ 防氧化 ⅱ 降低有效电阻(显然，只要银层厚度大于工作频率下的d，则就内阻抗而言，即可视为“用银制成的实心导线”) Ⅴ 多导体系统的电的趋肤效应——临近效应 (1) 单根导体(汇流排)的电的趋肤效应 (2) 二根载流导线相邻放置 4.3.2 电磁屏蔽 电磁屏蔽系应用良导体能能有效地减弱电磁场的作用，构成相应的各种电磁屏蔽装置。 4.3.2 电磁屏蔽 (1) 静电屏蔽：金属（导体内部电场为零） (2) 磁屏蔽：含低频磁场的磁屏蔽—铁磁材料 (3) 高频电磁场的电磁屏蔽 基于集肤效应，选择d小的良导体，且殷铁磁材料的磁滞损耗、涡流损耗大，若应用于工作线圈的“磁屏罩”，则线圈得Q值下降。故此时常用的是高电导率的金属（不导磁）---厚度为2?d。 4.4 涡流与涡流损耗 (磁的趋肤效应) (1) 铁心叠片中的涡流 1. 设： 2. 3. (2) 涡流损耗 a. 低频时 b. 高频时 (3) 涡流的控制与利用 1. 涡流控制 2. 涡流利用 感应加热： 熔化金属、金属热处理、烘干胶合板等 金属管道的无损检测 仪表 传感器 *