晶体管原理第一章讲述.ppt

* 半导体器件原理 辽宁大学 电子科学与技术专业 授课教师：卢雪梅 2007年3月 LEARNING * 目 录 双极结型晶体管 3 PN结 3 2 双极晶体管的设计 3 4 LEARNING 半导体器件基本方程 1 绝缘栅场效应晶体管 5 * 半导体器件基本方程 第一章 1.1 载流子的运动 1.2 半导体中的基本控制方程 载流子的运动 第一节 本征半导体：不含杂质的半导体。 本征激发：热振动使处于晶格上的半导体原子的价键破裂，从 而在半导体中产生自由电子和自由空穴，总是同时产生一个电子 和一个空穴，即所谓的电子空穴对。 N型和P型半导体：通常在本征半导体中掺入适量浅施主或浅 受主杂质形成。温度不高时就几乎全部电离，成为自由载流子。 通常比本征载流子（本征激发的载流子）浓度高很多。 载流子的运动 第一节 在热平衡状态下，半导体中载流子作无规则运动，没有宏观 电流。 如果在半导体局部通过光照或注入载流子的方法，使自由载 流子浓度超过热平衡值，就出现扩散运动。 如果我们对半导体加上外电场，自由载流子除无规则运动外， 还将产生一个定向的漂移运动，引起宏观电流。 载流子的运动 第一节 一、漂移运动 在低电场下，漂移速度正比于电场强度E， 即 1、漂移速度与迁移率 其中μn和μp为比例系数，电子和空穴