第9章半导体传感器机械基础.docVIP

第九章 半导体传感器 主要内容： 9.1气敏传感器 9.2湿敏传感器 9.3色敏传感器 ? 半导体传感器特征： 半导体式传感器是典型的物理型传感器，它是利用某些材料的电特征的变化实现被测量的直接转换，如改变半导体内载流子的数目。凡是用半导体材料制作的传感器都属于半导体传感器。其中包括：光敏电阻、光敏二极管、光敏晶体管、霍尔元件、磁敏元件、压阻元件、气敏、湿敏等等。 ? 9．1气敏传感器 气敏传感器是用来检测气体浓度和成份的传感器，由于气体种类很多，性质各不相同，不可能用同一种气体传感器测量所有气体。气敏传感器主要有以下应用： 工业天然气、煤气等易燃易爆的安全监测； 环境保护，有害、有毒气体监测； 酒后驾车，乙醇浓度检测等。 ? 9．1．1 半导体气敏传感器工作机理 气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应，导致敏感元件阻值变化，如： 氧气等具有负离子吸附倾向的气体，被称为氧化型气体——电子接收性气体； 氢、碳氧化合物、醇类等具有正离子吸附倾向的气体，被称为还原型气体——电子供给性气体。 当氧化型气体吸附到N型半导体上，半导体的载流子减少，电阻率上升； 当氧化型气体吸附到P型半导体上，半导体的载流子增多，电阻率下降； 当还原型气体吸附到N型半导体上，半导体的载流子增多，电阻率下降； 当还原型气体吸附到P型半导体上，半导体的载流子减少，电阻率上升； ? ? 图9—1N型半导体与气体接触时的氧化还原反映 ? ? 按半导体的物理特性，气敏传感器可分为电阻型和非电阻型。 ? 9．1．2电阻型半导体气敏传感器 电阻型气敏传感器是目前使用较广泛的一种气敏元件。 传感器由三部分组成：敏感元件、加热器、外壳； 按制造工艺分为：烧结型、薄膜型、厚膜型。 气敏电阻的材料是金属氧化物，合成时加敏感材料和催化剂烧结，金属氧化物有： N型半导体，如：SnO2Fe2O3ZnOTiO P型半导体，如：CoO2PbOMnO2CrO3 这些金属氧化物在常温下是绝缘的，制成半导体后显示气敏特性。 通常器件工作在空气中，由于氧化的作用，空气中的氧被半导体（N型半导体）材料的电子吸附负电荷，结果半导体材料的传导电子减少，电阻增加，使器件处于高阻状态；当气敏元件与被测气体接触时，会与吸附的氧发生反应，将束缚的电子释放出来，敏感膜表面电导增加，使元件电阻减小。 空气中——氧化作用——氧被电子吸附——电子减少——高阻状态； 气体接触——吸附——氧发生反应——电子释放——电导增加——电阻减小。 导电机理用一句话描述： 利用半导体表面因吸附气体引起半导体元件电阻值变化，根据这一特性，从阻值的变化测出气体的种类和浓度。 气敏元件的加热作用： 电阻型气敏元件通常工作在高温状态（2000C—4500C），目的是为了加速气体吸附和上述的氧化还原反应，提高灵敏度和响应速度；另外使附着在壳面上的油雾、尘埃烧掉。在常温下，电导率变化不大，达不到检测目的，因此以上结构的气敏元件都有电阻丝加热器。加热时间2—3分钟，加热电源一般为5V。加热方式分为内热式和旁热式。 图9—2气敏传感器测量电路 ? 9．1．3非电阻型半导体气敏器件 非电阻型气敏传感器，是利用MOS二极管的电容—电压特性变化；MOS场效应管的阈值电压的变化；肖特基金属半导体二极管的势垒变化进行气体检测。 MOS二极管气敏元件 在P型硅上集成一层二氧化硅（SiO2）层。在氧化层蒸发一层钯（Pd）金属膜作电极。 氧化层（SiO2）电容Ca固定不变。而硅片与SiO2层电容Cs是外加电层的功函数。总电容C也是偏压的函数。曲线C—U特性中，MOS二极管的等效电容C随电压U变化。 金属钯（Pd）对氢气（H2）特别敏感。当Pd吸附以后，使Pd的功函数下降，使MOS管C—U特性向左平移（向负方向偏移），利用这一特性用于测定的浓度。 ? ? ? ? ? 图9—3MOS二极管气敏元件结构和等效电路 ? ? MOSFET气敏元件 钯Pd—MOSFET管结构如图9—4所示。Pd对H2吸附性很强，H2吸附在Pd栅上引起的Pd功函数降低。 MOSFET管当栅极（G）、源极（S）间加正向偏压UGS，UGSUT阀值时，栅极氧化层下的硅从P变为N型，N型区将S（源）和D（漏）连接起来，形成导电通道（N型沟道）。此时MOSFET进入工作状态，在S—D间加电压UDS，S—D间有电流IDS流过，IDS随UDS、UGS变化。当UGSUT时，沟道没形成，无漏源电流IDS=0。 UT（阀值）电压大小与金属与半导体间的功函数有关。Pd—MOSFET器件就是利用H2在钯栅极吸附后改变功函数使UT下降，检测H2浓度。 图9—4钯Pd—MOSFET管结构图9—5肖特基二极管 ? 肖特基二极管 金属和半导体接触的界面形成肖特基势垒，构成金属