材料工程基础讲稿2课件.pptVIP

§1－4 固态相变时的形核 1．均匀形核 与液态金属结晶相比，固态相变阻力项增加了一项应 变能。按经典形核理论，系统自由焓变化为 ΔgvV为体积自由焓差即相变驱动力；σS和EV项为 相变阻力。可导出固态相变时的临界形核功为 由于存在应变能，将使临界形核功增大。 固态相变均匀形核时的形核率可以用下式表示 式中 N－形核率，n－单位体积母相中的原子数，ν－原子振动频 率，Q－原子扩散激活能，K－Boltzmann常数，T－相变温度 （K）。 由于固态下Q值较大，且固态相变形核功也较高，与凝固过程 相比，固态相变均匀形核率非常小。 2．非均匀形核 金属固态相变主要非均匀形核，形核位置往往在母相中的某些晶 体缺陷处，其系统自由焓总变化为 与式（1－1）相比，多了一项－ΔGd，晶体缺陷能。该项的存在 将导致临界形核功的明显降低，从而大大促进形核率提高。 1）晶界 大角晶界具有高的界面能，在晶界形核时可 使界面能释放→相变驱动力，以降低形核功。 晶界可