- 2
- 0
- 约5.61千字
- 约 50页
- 2016-12-26 发布于湖北
- 举报
第一章 常用半导体器件 §1.1 半导体基础知识主要介绍:制作半导体器件的材料、产生机理等 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 本征半导体结构 3、本征半导体中的两种载流子 二、杂质半导体定义:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量杂质元素 (五价磷(N型)、三价硼(P型)) 1. N型半导体 2. P型半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 PN 结的形成 PN 结的单向导电性 PN结的单向导电性 四、PN结的电流方程 IS 反向饱和电流 K 为波尔兹曼常数, q 为电子电荷量, 库仑 T为热力学温度 室温时, 六、PN 结的电容效应 六、PN 结的电容效应 问题 为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素? 为什么半导体器件有最高工作频率? §1.2 半导体二极管 一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 从二极管伏安特性得出: 1. 单向导电性 三、二极管的等效电路 2. 微变等效电路 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF:D长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压UR:D工作时允许外加的最大反向电压。 反向电流 IR:二极管未击穿时的反向电流。 最高工作频率fM:D工作的上限截止频率。(PN结有电容效应) 五、稳压二
原创力文档

文档评论(0)