1-常用半导体器件-1精选.ppt

模拟电子技术基础（电 类） 主 编 罗桂娥 副主编 张静秋 罗群 1. N沟道增强型绝缘栅场效应管 截止区（无导电沟道）： UGS UGS(th) UDS 0 可变阻区（导电沟道畅通）： UGS UGS(th) UGD UGS(th) 恒流区（导电沟道夹断）： UGS UGS(th) UGD UGS(th) 1.4.2 MOS 场效应管 三个工作区的 条件 2. 耗尽型 N 沟道 MOSFET S G D B Sio2 绝缘层中掺入正离子在 uGS = 0 时 已形成沟道；在 DS 间加正电压时形成 iD uGS ? UGS(off) 时，全夹断 1.4.2 MOS 场效应管 1）结构和符号 输出特性 uGS /V iD /mA 转移特性 IDSS UGS(off) 夹断 电压 饱和漏 极电流 当 uGS ? UGS(off) 时， uDS /V iD /mA uGS = ? 4 V ? 2 V 0 V 2 V O O 2. 耗尽型 N 沟道 MOSFET 1.4.2 MOS 场效应管 2）伏安特性 3. P 沟道 MOSFET 增强型 耗尽型 S G D B S G D B 1.4.2 MOS 场效应管 N 沟道结型 S