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第六章 模拟集成电路 集成电路(IC)中单个元器件精度不很高，参数随温度漂移较大，但在同一芯片上用相同工艺制造出的元器件性能一致性好，芯片上同一类元器件温度特性也基本一致。如果做成对称电路或补偿回路，则电路的热稳定性相当好。 IC中由于用 P 或 N 型半导体材料作电阻，阻值有一定限制，一般几十W到几十kW之间，太高太低都会因占芯片面积过大而不易制造。常用占用面积小且性能好的MOS、BJT管等有源器件构成电流源替代大电阻。大电容也不易制造，常用PN结电容或SiO2绝缘层构成小电容，一般100pF，故各级电路间大都采用直接耦合。电感则一般必须外接，有时通过巧妙设计电路结构来代替大电容和电感元件。 由于复合结构的电路性能较佳而制作容易，因而集成电路中经常采用复合管(达林顿)、共集(CC)-共射(CE)、共射(CE)-共基(CB)、共集(CC)-共基(CB)等复合结构电路。 IC 中的二极管常用三极管的一个 PN 结构成，或将基极与集电极短路，再与发射极构成正向压降较低的二极管。常用来作恒压电路、偏置电路和温度补偿电路，这是因为这种二极管具有与三极管发射结相同的温度系数。 1. 此微电流源也具有很好的温度稳定性吗？ 2. 微电流源的作用是提供小偏置电流，而常规的镜像电流源一般只能提供最小为毫安数量级的偏置电流，不能更小，因为集成电路的电阻R不能做得很大。 3. 通过制造工艺，保证Vbe1Vbe2，并保持一定的电压偏差，如T1采用双二极管串联办法等。 T1、T2也是镜像电流源，与上述标准镜像电流源的唯一区别是多了一个PN结电压Vbe3（T3发射结）。 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 1. 介绍差动输入运放的同相、反相输入端 1. IC2取决于VCC和R，与PN结的特性（T 敏感）基本无关！也与Rc的大小无关（一定范围内/工作范围内） 2. T1是处于饱和状态，其实它是可等效为一个二极管也（T1的集电极悬空则又如何？）！补偿温度对集电极电流的影响 3. T2需处于放大状态！ 1. 输出电压极性变反 2. 接单边负载，电路不具有对称性，理论上是不能按原来的对称电路取单边计算方法计算（ Why？大输出电阻可以，实际上是可以的，因为通常只要满足RLRc即可，一般5～10倍以上可也），后面举的例子和今后的计算，大多属于这种情况。 “共模信号被完全抑制”只对对称差分电路有效 1. 若接负载（单边），电路不对称，不可以拆分电路计算 1. 接单边负载则电路静态不对称，能不能拆分电路进行计算？能？，动态是对称的，因为受控电流源所接负载的大小不同但仍然等价！ 2. 虽然与双入单出有相同的放大倍数，但最后的输出电压不一样（原因：含共模输出、差模输入电压也不同） 共模信号，相当于两个输入端接在一起，再共同施加输入信号（输入电阻是单边电路的一半） 接负载则电路不对称，不能拆分电路进行计算 最后的结论对双端输出有效。其根本原因是：差分信号与共模信号的交流通路不一样，自然放大倍数也不一样。差分放大电路对差模信号能有效放大，对共模信号的放大作用为0或很小。 接负载则电路不对称，不能拆分电路进行计算 1. 单边接负载，电路不对称（直流不对称，T1和T2的Q点不一样，表现在VCEQ不一样），r0 能这样拆分吗？（能，交流是可以看作是对称的？，受控电流源的原因）。此处例子与教材不一样，教材无负载。 2. 单端输出的差放仍具有很强的共模抑制能力； 3. 此处应插入共模输入输出电阻的计算方法和例子 1. 虽然与双入单出有相同的放大倍数，但最后的输出电压不一样（原因：含共模输出、差模输入电压也不同） 1. 此处 vo2= - vo1 （差模）。 2. 注意这里的RL’是＝Rc1//0.5RL，与以往不同。 1. 这是单边交流等效电路 根据定义求得。 直观理解： 差分输入时，相当于把差模信号施加于两输入端，自然输入电阻（左右两边）被串联，为单边的两倍， 共模输入时，相当于把两输入端接在一起再输入信号，从信号端看，自然输入电阻被并联，为单边的一般。 双端输出时，输出电阻是两边电路输出电阻的串联，故此时的总输出电阻为单边电路的两倍； 单端输出时，输出电阻是单边电路输出电阻，另一边电路不起作用，这个容易理解； 1. T1的b极偏置电流ib1如何形成（谁提供）？由Vee提供，试画出其供电回路！如果没有Vee行吗？ 2. 解释e点的电位为什么是－0.7V 3. 接单边负载，电路不具有对称性，理论上是不能按原来的对称电路取单边计算方法计算（ Why？大输出电阻可以，实际上是可以的，因为通常只要满足RLRc即可，一般5～10倍以上可也），这个例子和今后的大多数情况属于此例。 交流对称，定理成立（尽管直