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§4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 * 第四章 集成运算放大 电路 模拟电子技术基础 第四章 集成运算放大器 §4.1 概述 §4.2 集成运放中的电流源电路 §4.3 集成运放电路简介 §4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 §4.5 集成运放的种类及选择 §4.6 集成运放的使用 集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。 集成电路的优点： 工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。 集成电路的分类： 模拟集成电路、数字集成电路； 小、中、大、超大规模集成电路； ? ? §4.1 概述 集成电路内部结构的特点： 1. 电路元件制作在一个芯片上，元件参数偏差方向一致，温度均一性好。 2. 电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。 3. 几十 pF 以下的小电容用PN结的结电容构成、大电容要外接。 4. 二极管一般用三极管的发射结构成。 5. 集成制造工艺器件性能差异较大，常采用复合形式。 输入级 中间级 输出级 UEE +UCC u+ uo u– 反相 输入端 同相 输入端 T3 T4 T5 T1 T2 IS 原理框图： 输入级 中间级 输出级 +UCC UEE u+ uo u– 反相 输入端 同相 输入端 T3 T4 T5 T1 T2 IS 对输入级的要求：尽量减小零点漂移,尽量提高 KCMR , 输入阻抗 ri 尽可能大。 与uo反相 与uo同相 输入级 中间级 输出级 UEE +UCC u+ uo u– 反相 输入端 同相 输入端 T3 T4 T5 T1 T2 IS 对中间级的要求：足够大的电压放大倍数。 输入级 中间级 输出级 UEE +UCC u+ uo u– 反相 输入端 同相 输入端 T3 T4 T5 T1 T2 IS 对输出级的要求：主要提高带负载能力，给出足够的输出电流io 。即输出阻抗 ro小。 （1）采用四级以上的多级放大器，输入级和第二级一般采用差动放大器。 （2）输入级常采用复合三极管或场效应管，以减小输入电流，增加输入电阻。 （3）输出级采用互补对称式射极跟随器，以进行功率放大，提高带负载的能力。 集成运放的结构： ri 大:几十k? ? 几百 k? 运放的特点： KCMR 很大 ro 小：几十 ? 几百? A o 很大:104 ? 107 理想运放： ri ? ? KCMR ? ? ro ? 0 Ao ? ? 运放符号： ＋ － u－ u+ uo － ＋ ＋ u－ u+ uo ? A0 ui uo +UOM -UOM ? Ao越大，运放的线性范围越小，必须在输出与输入之间加负反馈才能使其工作于线性区。 ui uo _ + ? + A0 集成运放的电压传输特性 §4.2 电流源电路 集成运放的各级都应具有合适的静态工作点，即要有一定的偏置电流。这些电流是通过晶体管和场效应管构成的电流源电路提供的。 一、镜像电流源 4.2.1 基本电流源电路 T0 T1 +VCC R T0和T1特性完全相同 T0 T1 +VCC R IR IC1 IC0 2IB IB1 IB0 则： IC0和IC1成镜像关系 基准电流IR： β2时： 这是一个相对稳定的值。 镜像电流源具有一定的温度补偿作用： T IC1 IR UB IB IC1 IC0 UR 优点：电路简单，应用广泛 缺点：IC1较大使得IR增大，R上的功耗也会增大； IC1较小使得IR减小，则需要大的电阻R。 T0 T1 +VCC R Re0 Re1 二、比例电流源 IR IC1 IC0 IB0+ IB1 IB1 IB0 IE0 IE1 当β2时，IC0=IE0=IR, IC1=IE1。 则： 基准电流IR： T0 T1 +VCC R Re 三、微电流源 IR IC1 IC0 IB1 IB0 IB0+ IB1 IE1 特点：可以采用阻值较小的R，而获得较小的输出电流IC1。 例：P177 可用图解法或累试法求解 T0 T1 +VCC R Re2 T2 4.2.2 改进型电流源电路 一、加射极输出器的电流源 IR IC1 IC0 IB2 IB1 IB0 IE2 特点：利用T2管的电流放大作用，减小了基极电流IB0和IB1对基准电流IR的分流。 整理得： 二、威尔逊电流源 T0 T1 T2 +VCC R B IR 2IB IC0 IB2 IC2 IE2 IC 特点：IC2高度稳定 则即使在β很小时，也可认为IC2近似等于IR。 4.2.3 多路电流源电路 T0 T1 +VCC R Re0 Re1 T2 Re2 T3 Re3 IE3 IR IC1 IC0 IE