模电课件1-2章.pptVIP

1、本征半导体的结构 二、杂质半导体 2. P型半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 1、PN结的形成 2、PN结的单向导电性 四、PN结的电容效应 五、晶体管的结构和符号 六、晶体管的放大原理 六、晶体管的放大原理 七、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 2. 输出特性 2.1.2 放大电路的主要性能指标 (1) 放大倍数 2.1.2 放大电路的主要性能指标 (1) 放大倍数 2.1.2 放大电路的主要性能指标 (1) 放大倍数 (1) 放大倍数 输出量与输入量之比 (2) 输入电阻 Ri 输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数，Ri大放大电路从信号源吸取的电流小，反之则大。 (3) 输出电阻Ro 2.2 基本共射放大电路的工作原理 阻容耦合共射放大电路分析 阻容耦合共射放大电路分析 2.4 放大电路静态工作点的稳定 2. 稳定原理-- Rb1 的作用 3. Q点分析 4. 动态分析 稳定静态工作点的方法 引入直流负反馈 温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。 例如，Rb1或Rb2采用热敏电阻。 Rb1应具有负温度系数， Rb2应具有正温度系数。 讨论 基本共集放大电路 基本共基放大电路 三种接法的比较 1. 静态分析 2. 动态分析：电压放大倍数 2. 动态分析：输入电阻的分析 2. 动态分析：输出电阻的分析 1. 静态分析 2. 动态分析 三、三种接法的比较：空载情况下 接法 共射 共集 共基 Au 大 小于1 大 Ai β 1＋β α Ri 中 大 小 Ro 大 小 大 频带 窄 中 宽 四、三种接法的组合形式 为使单级放大电路具有多方面的优良性能，有时采用组合接法。例如： 共集－共基形式：输入电阻高、电压放大倍数较大、频带宽 共集－共射形式：输入电阻高、电压放大倍数较大 讨论一  图示电路为哪种基本接法的放大电路？它们的静态工作点有可能稳定吗？求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。 讨论二 讨论二 2.6 场效应管放大电路 2.6.1 场效应管放大电路的三种接法 2.6.2 共源组态基本放大电路 2.6.3 共漏组态基本放大电路 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 输出特性 2. 绝缘栅型场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 MOS管的特性 耗尽型MOS管 二、场效应管静态工作点的设置方法 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 三、场效应管放大电路的动态分析 三、场效应管放大电路的动态分析 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 四、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 本章小结 １　放大的概念 ２　放大电路的组成原则 ３　放大电路的主要性能指标 ４　放大电路的分析方法 　　晶体管基本放大电路 　　场效应管基本放大电路 ５　静态工作点的稳定 6 失真产生的原因及消除方法 电子电路设计的一般过程 元器件的选择：选择元器件可从“需要什么”和“有什么”两方面来考虑。 所谓“需要什么”是指根据具体问题的要求所选择的方案需要什么样的元器件，即每个元器件各应具有哪些功能和什么样的性能指标。 所谓“有什么”是指有哪些元器件，哪些在市场上能买得到，它们的性能如何、价格如何、体积多大等。众所周知，电子元器件的种类繁多，而且不断出现新产品，这就需要用户经常关心元器件的新信息和新动向，多查资料。大量了解各种元器件特性、规格、参数、价格。一般优先选用集成电路。 建议：在保证电路性能的前提下，尽量选用常见的、通用性好的、价格相对低廉、手头有的或容易买到的。 若Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 不同类型的管子复合后，其类型决定于T1管。 目的：增大β，减小前级驱动电流，改变管子的类型。 设计题目： 一、单管放大电路设计 已知条件：VCC=12V，RL=3K，RS=2K，Vi=10mV 性能指标要求：Au40 ， Ri1K ， Ro3K ， fL100Hz ， fH100KHz 二、单管放大电路设计 已知条件：VCC=12V，RL=5K