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(1) MOS管中, 有的产品将衬底引出，形成四个管脚。使用者可视电路需要进行连接。P衬底接低电位，N衬底接高电位。但当源极电位很高或很低时 , 可将源极与衬底连在一起。 (2)场效应管的漏极与源极通常可以互换，且不会对伏安特性曲线产生明显影响。注意：有些产品出厂时已将源极与衬底连在一起了，这时源极与漏极就不能进行对调。 (3)MOS管不使用时 , 由于它的输入电阻非常高, 须将各电极短路 , 以免受外电场作用时使管子损坏。即MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 2.4 绝缘栅场效应管 2.4.5 MOS管使用注意事项 (4)焊接MOS管时，电烙铁须有外接地线，用来屏蔽交流电场，以防止损坏管子。特别是焊接绝缘栅场效应管时，最好断电后再焊接。 2.4 绝缘栅场效应管 2.4.5 MOS管使用注意事项 2.4 绝缘栅场效应管 2.4.6场效应管和普通三极管的比较 （单极型和双极型） 1. 场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于双极型晶体管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2. 场效应管是电压控制电流器件，场效应管栅极基本上不取电流，而双极型晶体管工作时基极总要取一定的电流。所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管；而在允许取一定量电流时，选用双极型晶体管进行放大可以得到比场效应管较高的电压放大倍数。 3. 场效应管是多子导电，而双极型晶体管则是既利用多子，又利用少子。由于少子的浓度易受温度、辐射等外界条件的影响，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化比较剧烈的情况下，选用场效应管比较合适。 4. 场效应管的源极和衬底通常是连在一起时，源极和漏极可以互换使用，耗尽型绝缘栅型管的栅极电压可正可负，灵活性比晶体管强；而双极型晶体管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，放大倍数值将减小很多。 5. 与双极型晶体管相比，场效应管的噪声系数较小，所以在低噪声放大器的前级通常选用场效应管，也可以选特制的低噪声晶体管。但总的来说，当信噪比是主要矛盾时，还应选用场效应管。 6. 场效应管和双极型晶体管都可以用于放大或可控开关，但场效应管还可以作为压控电阻使用，而且制造工艺便于集成化，具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因此在电子设备中得到广泛的应用。 2.4 绝缘栅场效应管 2.4.6场效应管和普通三极管的比较 （单极型和双极型） 2.4 绝缘栅场效应管 1. 夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th) 　　夹断电压UGS(off)是耗尽型MOS管的参数，开启电压UGS(th)是增强型MOS管的参数。 2．饱和漏极电流IDSS 　　饱和漏极电流IDSS是耗尽型MOS管的参数。 2. 栅源直流输入电阻RGS 　　栅源直流输入电阻RGS是在栅源极间的电压为定值时，栅-源极间的直流电阻值。一般场效应管的RGS都很大，一般高达108以上。 4．最大漏源击穿电压U(BR)DS 　　U(BR)DS是漏-源极间允许加的最高电压值，即ID开始急剧上升时的UDS值。 2.4.7 场效应管主要参数 2.4 绝缘栅场效应管 2.4.7 场效应管主要参数 5．低频跨导gm 　　漏、源极间的电压为定值时，漏极电流的变化量和相应的栅-源输入电压的增量的比值。即 　　　gm= 它是衡量放大能力的重要参数。跨导的一般表示式为它的大小是转移特性曲线在工作点的斜率。显然，跨导的大小与工作点位置有关，gm的单位为西门子(s)。 6. 最大漏极电流IDM和最大耗散功率PDM 　　指场效应管正常工作时所允许的漏极电流的最大值。而最大耗散功率PDM等于漏极电压的最大值和漏极电流的最大值之乘积。 * * * * * * * * * * * * 现在的汽车点火系统中都用集成的功率放大电路而不用达林顿管。 * * * * 2.3.5 三极管的主要参数 2.3 半导体三极管 1.电流放大系数(倍数) 　　当三极管工作在动态时，基极电流的变化量为　　，它引起集电极电流的变化量为　　，它与　　的比值称为电流放大系数。 2.集—基极反向饱和电流(ICBO) 　　在发射极开路的情况下，集 电极与基极之间加反向电压时的 反向电流称集—基极反向饱和电 流(ICBO) 。它实际上和单个PN结 的反向电流一样，受温度影响很大。 在一定温度下ICBO基本是一个常数。一般小功率锗三极管的ICBO为几微安到几十微安，小功率硅三极管的ICBO小于　　，显然ICBO越小，锗三极管或硅三极管的工作稳定性越好。 2.3.5 三极管的主要参数 2.3 半导体三极管 2.集—射极反向穿透电流(ICEO) 　　在基极开路情况下，集射极之间加上一定反向电压时的集射极反向穿透电流(ICEO)