数控机床故障诊断与维修理论课教案及电子教案教学课件作者刘江数控机床故障诊断与维修7课件.pptVIP

数控机床故障诊断与维修 工作任务： 数控机床起动停止控制线路一般是实现数控系统的上电和断电控制，是数控机床外围电路中重要的组成部分。 1.读懂该线路原理图 2.根据原理图找出实验台上该线路所用各元器件的安装位置 3.熟悉该线路所用各元器件的连接 4.测量该线路所用各元器件的输入输出电压情况 相关实践知识：(一)元器件 常见三极管的外形图 (a) 塑封管； (b) 超小型管； (c) n功率管； (d) 大功率管 三极管电流放大作用的测试 三极管特性的测试（a） 测试电路; （b） 输入特性曲线; （c） 输出特性曲线 2．输出特性曲线 当某极电流IB一定时，集电极与发射极之间的电压VCE和集电极电流IC之间的关系，称为三极管的输出特性。 通常把输出特性曲线分成截止、饱和。放大三个工作区域 。 1. 放大状态 三极管处于放大状态的条件是发射结正偏和集电结反偏。这就是输出特性曲线上IB＞0 和UCE＞1V的区域。 我们把这个区域叫放大区。  三极管在放大区的特征是：IC由IB决定，而与UCE关系不大。即IB固定时，IC基本不变，具有恒流的特性。 改变IB，则可以改变IC，而且IB远小于IC，表明IC是受控制的受控电流源，有电流放大作用。  2. 截止状态 当三极管的基极开路或发射结处于反向偏置时，三极管处于截止状态。 从特性曲线上来看，IB=0的那条曲线以下的区域，即为截止区 。在此区域内，三极管没有放大作用。  当三极管截止时，c、e之间的电压基本上等于UCC， 而IC≈0， 故三极管呈现出高电阻，c、e之间相当于断路， 截止状态的三极管相当于一个断开的开关。 3. 饱和状态 当发射结、集电结都处于正向偏置时，三极管处于饱和状态。当集电极外接电阻RC阻值很大，或者基极电流IB较大时就会出现这种情况。  在输出特性曲线上，饱和区确切范围不易明显地划出， 它大致在曲线族的左侧，UCE较小的区域（UCE＜UBE），见图 8- 6。  当三极管处于饱和状态时，尽管增大基极电流IB的值， 集电极电流IC却基本保持不变，此时三极管失去了放大作用。饱和时三极管c与e间的电压记作UCES，称为饱和压降。 一般规定小功率 * 1.按钮 按钮是一种短时接通或分断小电流电路的手动主令电器。适用于交流电压500V或直流电压440V、电流5A及以下电路中。一般它不直接操纵主电路的通断，而是在控制电路中发出“指令”，去控制接触器、继电器等自动电器，再由它们去控制主电路。按钮在控制线路中也可作为电气联锁使用。 拓展知识： 接近开关是一种由内部产生高频磁场，由感应面向外发送，进入这个区域内的任何金属物都会吸收能量，被内置电子设备探测并估算吸收能量值。信号成形与放大设备把该信息转换成电信号输出的传感器。 接近开关外形及符号如图1-52所示。 图 1–52 接近开关 (a)外形 （b）图形符号 接近开关是一种利用被检测物体对光束的遮光或反射，来检测物体的有无，而达到输出转换的传感器，其检测物体不限于金属，对所有能反射光线的物体均可检测，它可非接触式感应，感应距离远，反应速度快，安全可靠，使用寿命长，是理想的检测，计数及安全防护等场合的有效工具。通常光电开关感应距离比接近开关远。 半导体三极管 半导体三极管又叫晶体三极管，通常简称为三极管或晶体管。它是放大电路最基本的元件之一。下面介绍它的基本结构、工作原理和特性参数。  一、三极管的结构 三极管的内部结构为两个PN结。这两个PN结是由三层半导体区形成的。根据三层半导体区排列的不同方式， 可分为NPN型和PNP型两种类型，如图 所示。 相关理论知识： 两种不同类型三极管的符号所示。在三层半导体区中，位于中间的一层叫基区；其中一侧的半导体区专门用来发射载流子，叫发射区；另一侧专门用来收集载流子，叫集电区。发射区和基区之间的PN结叫发射结， 集电区和基区之间的PN结叫集电结。  从三层半导体区分别引出三个电极，相应叫基极、发射极和集电极，分别用字母b、e、c来表示三个极。三极管的外形所示。 为了保证三极管有电流放大作用， 三极管在制造时有以下特点：  (1) 基区很薄， 一般只有几微米到几十微米厚， 且掺杂浓度低。 (2) 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多。 (3) 集电结的面积比发射结大。  