现代化学基础第三章.pptVIP

  • 18
  • 0
  • 约 39页
  • 2016-12-26 发布于重庆
  • 举报
第三章 配位键和配位化合物 §3.1 配位化合物的基本概念 §3.2 配合物的化学键理论 §3.3 配合物的应用 正八面体Oh场 d 4 , d 5 , d 6 , d 7 t2g d eg 弱场 D0 P d 电子高自旋排布 强场 D0 P d 电子低自旋排布 eg t2g eg t2g 弱场 弱场 强场 d 4 d 5 d 6 d 7 dg de 正四面体Td场 Dt= D0 d 电子高自旋排布 中心离子利用哪些价层空轨道进行杂化? 中心离子的价电子层结构 配位体中配位原子的电负性 [FeF6]3- Fe3+ 3d54s04p04d0 F- 2s22p6 [Fe(CN)6]3- 外轨型配离子 内轨型配离子 高自旋态 低自旋态 * 3.1.1 配位键和配位化合物 1. 配位键及其形成的条件 NH4+离子 N 1s22s22p3 成键两原子间共用电子对只由其中一个原子提供所形成的共价键称为配位键。 一个原子的价电子层有孤对电子, 另一个原子的价电子层有空轨道。 2. 配位离子和配位化合物 [ Ag(NH3)2 ]+ 正配位离子 Ag+ 2个NH3 配位 [ Ag(NH3)2 ] Cl 配位化合物 Cl- K3[ Fe(CN)6 ] [ Cu(NH3)4 ] SO4 3.1.2 配合物的组成 [ Co(NH3)6 ]

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档