信息技术与社会进步-5-2简介.ppt

C00103 信息技术与社会进步 主讲人：刘纯亮 西安交通大学电子与信息工程学院 第5章 微电子技术（2） 5-2 固体能带概念与MOS器件 2014年07月15日 本科生课程“信息技术与社会进步”讲义 大 纲 一、固体能带和载流子概念 二、半导体接触 三、MOS器件及应用 固体的三种形态 单晶固体（Single Crystalline Solid），原子在整个区域周期排列，制备成本最高。 多晶固体（Poly-crystalline Solid），原子在很小区域周期排列形成晶粒，整个区域无周期性，制备成本较高。 非晶固体（Amorphous Solid），原子在整个区域无序排列，制备成本最低。 一、固体能带和载流子概念 固体中电子的能量状态可分为三种情况： （1）价带：该能量范围充满电子，但电子不能自由移动。 （2）导带：该能量范围可存在电子，且电子能够自由移动。 （3）禁带：该能量范围不允许存在电子。 导带 价带 禁带 固体中电子的三种能量状态 一、固体能带和载流子概念 （1）金属（导体）：导带与价带重叠，存在自由移动的电子，能够传导电流，随着温度升高导电性变差。 （2）绝缘体：导带与价带分离，禁带宽度很大，价带中充满电子（但不能自由移动），导带中没有电子，不能传导电流。 （3）半导体：导带与价带分离，禁带宽度较小，在绝对零度下，价带中充满电子（但不能自由移动），导带中没有电子，不能传导电流。在室温下，由于热激发会有部分电子从价带跃迁到导带，导带存在部分自由移动的电子，可传导电流，随着温度升高导电性增强。 固体的三种导电状态 一、固体能带和载流子概念 一般情况下，由于受到固体表面势垒的阻挡，固体中的电子不能离开固体表面而逃逸出固体。功函数（Φ）是描述固体表面势垒的一个重要物理参量，定义为真空能级（E0）与固体中电子的费米能级（EF）之差。 费米能级是描述固体中电子统计分布的一个重要物理参量。对于金属，费米能级代表自由电子的最大能量。对于绝缘体和半导体，在绝对零度下，电子占据费米能级之上和之下状态的概率均为50%。 只有给电子提供能量，电子才有可能逃逸出固体表面。给电子提供能量的三种常用方式： （1）热能，加热固体。 （2）电场能，外加高电场。 （3）光能，激光照射。 固体表面功函数 一、固体能带和载流子概念 从原子能级到固体能带 泡利不相容原理：每个量子态最多容纳自旋相反的2个电子。 反键态 成键态 分离原子的能级 能量 原子间距 原子间距 分离原子的能级 形成分子时的平衡间距 能量 能带顶部 能带底部 两个原子结合成分子 多个原子结合成固体 一、固体能带和载流子概念 导带和价带的定义 或 导带（Conduction Band，CB）：最低的完全空或部分空的能带，EC为导带底的能级。 价带（Valance Band，VB）：最高的完全填充的能带，EV为价带顶的能级。 禁带宽度（Eg）：导带底到价带顶之间的能量差。 禁带 一、固体能带和载流子概念 金属 半导体 绝缘体 二氧化硅：Eg = 8 eV 金刚石：Eg = 6 eV 室温下 硅（Si） ：Eg= 1.12 eV 锗（Ge）：Eg= 0.66 eV 砷化镓（GaAs）： Eg = 1.42 eV 铜（Cu） 锌（Zn） 铅（Pb） 导带存在电子 导带与价带重叠 一、固体能带和载流子概念 半导体中载流子的产生 在半导体中，如果给价带中的电子提供能量，当电子的能量大于禁带宽度时，电子将从价带跃迁到导带，在导带形成可自由移动的电子，同时，在价带留出一个空位，称为空穴。价带中其它电子有可能填补到空位中，在别的地方产生另一个空位，等价于空穴在价带中运动。导带中的电子和价带中的空穴统称为载流子（Charge Carrier）。 给价带电子提供能量的三种常用方式： 热激发（Thermal Excitation）：加热半导体 光激发（Optical Excitation）：光辐照半导体 掺杂（Doping）：掺入另外一种原子 一、固体能带和载流子概念 对于本征半导体（无杂质），导带电子主要来自热激发或光激发，电子和空穴成对出现。习惯上，用n表示导带电子浓度，用p表示价带空穴浓度。在热平衡条件下，本征半导体中的电子浓度或空穴浓度称为本征载流子浓度，用ni表示。 室温下三种半导体中的本征载流子浓度 Si： Ge： GaAs： 一、固体能带和载流子概念 n型半导体 如果在硅中掺杂磷（P）原子，由于硅为IV族元素，最外层有4个价电子，磷为V族元素，最外层有5个价电子，磷替代硅后多出1个电子，因此，硅中掺杂