空间电池和聚光电池讲述.ppt

* * * * * * * 空间电池和聚光电池 概述 各代太阳能技术简介 空间电池 GaInP2/GaAs/Ge级联电池 聚光电池 聚光跟踪发电系统的组成部件 聚光跟踪发电系统的开发意义 各代太阳能电池介绍 单晶硅太阳能电池 多晶硅太阳能电池 第一代太阳电池 第二代太阳电池 非晶硅薄膜、铜铟锡(CIGS)、碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池 第三代太阳能电池 硅响应部分 多结化合物半导体光伏电池（MTJ光伏电池） 采用三个不同半导体材料构成PN结： 每个PN结具有不同的禁带宽度 顶电池– 1.9 eV 中电池 – 1.4 eV 底电池– 0.7 eV 不同的电池吸收太阳光谱中不同的部分,从而提高整个电池的转换效率 中国太阳能资源 1平方公里土地所接受的太阳能功率 约为 10亿瓦特 = 1座核电站 P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，在P型半导体和N型半导体的交界处就会形成一个P-N结。当光线照射太阳电池表面时，在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的的实质是：光子能量转换成电能的过程，其原理如图所示。 太阳能电池发电原理 空间太阳能电池的发展 1958年3月，美国的先锋1号“Vanguard”卫星上首次安装了太阳电池帆板进行飞行实验。在随后的25年中，几乎所有卫星都是由单晶硅太阳电池供电，电池的光电转换效率从5%提高到了18%。 直到1983年，GaAs电池才首次在航天器上使用。 理想太阳能电池材料需要具备： ?能带在1.1eV~1.7eV之间(对应光波长范围0.73~1.13μm) ?直接能带半导体 ?组成材料无毒性 ?可利用薄膜沉积技术且可大面积制备 ?有良好的光电转换效率 ?具有长期稳定性 GaAs材料的主要特点： ?带隙宽度为1.42eV（300K） ?带隙宽度与太阳光谱匹配 ?耐高温性能好 ?抗辐照性能强 ?多结叠层太阳电池的材料 ?光吸收系数高 GaInP2/GaAs/Ge级联电池 GaInP2/GaAs级联电池是1985年以后才兴起的一种空间用高效电池，GalnP2/GaAs/Ge级联电池则是以锗单晶为衬底，兼顾GaInP2/GaAs电池和GaAs/Ge电池的优点。 SpeetrolabInC.的P.K.ehiang从1990年开始研制GaInP2 /GaAs/Ge 多结级联电池，到1993年有了突破。他们在7.62cm2的Ge衬底上用MOCVD技术制备了效率为23.3%，Voc=2.572mV的电池，且均匀性非常好。 ASEC在这方面也取得了很好成绩，他们已制得效率为21.3%的电池，在三颗卫星上使用: (i)NASA SSTI“Clerk”和“Lervis”(1996年发射)，其中“Clerk”准备安装0.5m2面积的GaInP2 /GaAs/Ge电池和21m2面积的GaAs电池，总功率83W。 (ii)NASA TRACE(1998年发射)。 (iii)Phillips Lab Mightsat(1996年发射)，6块板，108个4cm2面积的GaInP2 /GaAs/Ge双结电池(效率为21.5%)。 GaInP2 /GaAs/Ge电池结构图 BSF层的作用 (a)加速光生少子输运，增加光电流 (b)由于少子复合下降而减少了暗电流，背电场可把向背表面运动的光生少子反射回去重新被收集 (C)增加开路电压 (d)改善金属半导体接触，减小串联电阻，整个电池的填充因子也得到改善。 GaInP2/GaAs/Ge级联电池结构的MOCVD生长 MOCVD装置示意图 GaAs/Ge底电池结构的生长研究 在N2气氛下装入反应室，抽真空充H2交换6次准备生长。在外延生长开始前，先对Ge单晶进行预处理，去除表面尚存的氧化层，在高温700 ℃下烧H2，同时通入AsH3，10分钟后，降温到过渡层生长温度为400-450 ℃ ，生长完过渡层，升温到被表面电场(BSF)层和基区的生长温度600，生长GaAs的BSF层和基区，然后生长GaAs发射区和AlGaAs窗口层，最后生长GaAs帽子层。 隧道结的生长研究 GaAs隧道结单层掺杂生长温度500一600℃，石墨衬底托旋转速度100转/分钟。因为GalnP2/GaAs/Ge级联电池隧道结的厚度在15-20nm之间，故采用低速生长，生长速率约5nm/min。 顶电池的生长研究 GaInP2作为一种重要的宽带半导体材料，一方面作为发光材料应用在发光二极管(LED)和激光器上，另一方面又成为多结级联电池较为理想的窗口层和顶电池材料。我们采用自制的低压MOCVD设备，以TMG，TMI和PH3为源，以通过把管提纯的H2作为载气，以Ge单晶为衬底进行GalnP2的外延生长，衬底托盘转速