2013复习传感器与检测技术.docVIP

一、填空题（每空1分，共30分） 二、简答题及计算题（每题5分，共40分） 三、综合应用题（每题15分，共30分） 1.把被测非电量的变化转换成线圈互感变化的互感式传感器是根据变压器的基本原理制成的，其次级绕组都用__差动___形式连接，所以又叫_差动变压器式传感器___。 2．在电阻应变片公式，=(1+2μ)ε+λEε中，λ代表_材料压阻系数_。在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物体电阻率的变化，这种现象称为_光电导效应_。 4．根据霍尔元件的霍尔电势UH的表达式可知，霍尔元件一般可用于三种情况的测量，分别是_测量电流I， 测量磁感应强度B，功率测量。 5．传感器由敏感元件、传感元件、测量转换电路三部分组成。码盘式传感器是建立在编码器的基础上的，它能够将角度转换为数字编码，是一种数字式的传感器。码盘按结构可以分为接触式、_光电式和电磁式三种。 应变片的选择包括类型的选择、材料的选用、阻值的选择、尺寸的选择_等。 . 热电偶电动势由__温度差__电动势和接触电动势两部分组成。 1.有源滤波器由集成运放和 RC网络__组成。 通常传感器由敏感元件、转换元件、基本转换电路三部分组成，是能把外界非电量转换成电量的器件和装置。 金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化，这种现象称应变效应；固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称压阻效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同，圆弧部分使灵敏度K下降了，这种现象称为横向效应。 差动变压器式传感器理论上讲，衔铁位于中心位置时输出电压为零，而实际上差动变压器输出电压不为零，我们把这个不为零的电压称为零点残余电压；利用差动变压器测量位移时，如果要求区别位移方向（或正负）可采用相敏检波电路。 把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称霍尔效应，这个电动势称为霍尔电势。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象成磁阻效应。 某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象，同时在它的表面产生符号相反的电荷，当外力去掉后又恢复不带电的状态，这种现象称为正压电效应；在介质极化方向施加电场时电介质会产生形变，这种效应又称逆压电效应。 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称光生伏特效应。 块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时，导体内部会产生一圈圈闭合的电流，利用该原理制作的传感器称电涡流传感器；这种传感器只能测量金属物体。 不同的金属两端分别连在一起构成闭合回路，如果两端温度不同，电路中会产生电动势，这种现象称热电效应效应；若两金属类型相同两端温度不同，加热一端时电路中电动势E =0。 图所示是二极管双 T 型交流电桥电路原理图。 e 是高频电源 , 它提供幅值为 Ui 的对称方波 , VD1 、 VD2 为特性完全相同的两个二极管 , R1 = R2 = R, C1 、 C2 为传感器的两个差动电容。当传感器没有输入时 , C1 = C2 。电路工作原理如下 当 e 为正半周时 , 二极管 VD1 导通、 VD2 截止 , 于是电容 C1 充电 ; 在随后负半周出现时 , 电容 C1 上的电荷通过电阻 R1#, 负载电阻 RL 放电 , 流过 RL 的电流为 I1 。在负半周内 , VD2 导通、 VD1 截止 , 则电容 C2 充电 ; 在随后出现正半周时 , C2 通过电阻 R2, 负载电阻 RL 放电 , 流过 RL 的电流为 I2 。 根据上面所给的条件 , 则电流 I1 =I2, 且方向相反 , 在一个周期内流过 RL 的平均电流为零。 2.图为一直流应变电桥，E = 4V， R1=R2=R3=R4=350Ω，求： ①R1为应变片其余为外接电阻，R1增量为△R1=3.5Ω 时输出U0=?。 ②R1、R2感受应变极性相反,输出U0=?。 ③R1、R2、R3、R4都是应变片,对臂同性，邻臂异性，电压输出U0=?。 为电阻应变片，应变片灵敏度系数，未受应变时，当试件受力时，应变片承受平均应变，求应变片电阻变化量和电阻相对变化量。 图等强度梁测力系统 解： （1）， 4.为什么电感式传感器一般都采用差动形式? 解：差动式结构，除了可以改善非线性，提高灵敏度外，对电源电压、频率的波动及温度变化等外界影响也有补偿作用；作用在衔铁上的电磁力，是两个线圈磁力之差，所以对电磁力有一定的补偿作用，从而提高了测量的准确性。 5. 交流电桥的平衡条件是什么？ 解：由交流电路分析可得 要满足电桥平衡