1 半导体器件..ppt

共价键中的电子依次填补空穴，形成空穴的运动 相当于空穴为带正电荷 磷原子失去一个电子自身成不能移动的带正电荷的离子，称为施主杂质。掺入一个磷原子就提供一个自由电子,所以电子是多子. N型半导体中,电子是多子,空穴是少子 I=IP+IN≈IN 注意：此整块的半导体仍为中性 NPN和PNP管的结构示意及符号 NPN和PNP管的结构示意及符号 三极管的电流放大作用 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 二、输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 把输出特性曲线划分成三个区 小结 BJT是由两个PN结构成的。工作时，有两种载流子参与导电，称为双极性晶体管。 BJT是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。 BJT的特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。 BJT有三个工作区：饱和区、放大区和截止区。 二、工作原理：以N沟道JFET为例 二、工作原理：以N沟道JFET为例 (2)0＞uGS＞uGS(off) 栅源之间加上负的栅压UGG后，两个PN结均为反偏，空间电荷区变宽，N沟道面积变窄，iD减少。 改变uGS的大小，可以控制iD的大小。 耗尽层是上宽下窄，这是因为在uGS和uDS的作用下，g、d方向的反向偏压比g、s方向的反向偏压高出uDS的大小，所以导电沟道呈现为倒楔形。 二、工作原理：以N沟道JFET为例 三、特性曲线 －－－ 1转移特性曲线 1 转移特性 2、漏极特性曲线 2 、漏极特性曲线 四、主要参数 (1)直流参数 A、夹断电压UGS(off B、漏极饱和电流IDSS:在uGS = 0v的条件下， 当|UDS||UGS(off)|时的沟道电流称为IDSS . C、直流输入电阻Rgs：漏源之间短路条件下， 栅源之间的电压UGS和栅极电流Ig之比 一般Rgs＞107 Ω， 这是一个相当大的数值。 四、主要参数 (2)交流参数－－－一个重要参数跨导 当uDS为某一固定值的条件下,漏极电流的变化量△iD和栅源电压变化量△UGS之比,称为低频跨导. 这个参数表示UGS对iD的控制能 力的大小，其单位是μS（μA/V）或 mS （mA/V）,g 的大小一般在0.1～十几mS之间。 4、主要参数 (3)极限参数 主要有漏源击穿电压U(BR)DS , 栅源击穿电 压U(BR)GS , 最大漏极耗散功率PDM等。 场效应管与三极管的特点比较 1、晶体三极管BJT是电流控制元件，用iB控制iC，场效应管FET是电压控制元件，用uGS去控制iD，gm较小，其放大能力远低于晶体三极管。 2、场效应管是用电场效应来工作的，RGS大，而晶体三极管RB的较低。 3、三极管是双极型器件，场效应管是单极型器件。 4、场效应管制造工艺简单，便于集成。 IDSS/V ID/mA UDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 击穿区 可变电阻区 　　漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。 漏极特性 UDS ID VDD VGG D S G V ? + V ? + UGS 图 1.4.5　特性曲线测试电路 + ? mA 图 1.4.6(b)　漏极特性 夹断区 　　场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。 UDS = 常数 ID/mA 0 -0.5 -1 -1.5 UGS /V UDS = 15 V 5 ID/mA UDS /V 0 UGS = 0 -0.4 V -0.8 V -1.2 V -1.6 V 10 15 20 25 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 　　结型场效应管栅极基本不取电流，其输入电阻很高，可达 107 ? 以上。如希望得到更高的输入电阻，可采用绝缘栅场效应管。 图 1.4.7　在漏极特性上用作图法求转移特性 或 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的(VCCS)。 1.4.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型