第二章pn结介绍.pptVIP

扩散电容的传统定义 设注入非平衡载流子电流密度为J，准中性区长度比非平 衡载流子的扩散长度大得多，非平衡载流子寿命为?，则积 累在扩散区的非平衡电荷密度为J?，得到单位结面积的扩散 电容为 QD为扩散区非平衡电荷总量。 低频条件下，扩散电容可表示为： 扩散电容的修正定义 pn结总电流J（b为pn结中任意位置）： 第一项：复合电流 第二项：与传统扩散电容定义相关的电流 第三项：位移电流 第四项：欧姆接触处电子和空穴电流 第五项：欧姆接触处位移电流 短基区pn结 长基区pn结 势垒电容与扩散电容的比较 3.pn结交流小信号等效电路 小信号导纳 理想正偏pn结的小信号等效电路 s pn结的完整小信号等效电路 pn结的开关特性 1.pn结作为开关应用的简化模型 2.扩散区非平衡电荷(以p+n结为例) 3. pn结瞬态响应(以p+n结为例) 端电压负跳后的反抽电流 1 反向恢复过程的物理实质是pn结 正偏时扩散区积累的非平衡电荷 的消散过程和pn结空间电荷区势 垒电容的放电过程。 反向恢复过程的微分方程及其解 4.缩短反向恢复过程的措施 从电路的角度： 尽可能小的正向电流，尽可能大的反抽电流 从器件角度 缩短非平衡载流子寿命，减薄轻掺杂区厚度 pn结的击穿特性 1.pn结的击穿机理 热不稳定性 隧道击穿 雪崩击穿—重点 热击穿 当流过pn结的电流过大，由于功耗转变的热能使pn结结温升高，结温升高又引起流过pn结的电流增大，最终引起的击穿。该种击穿是破坏性的，不可逆的。 防止热击穿的措施： 改善散热系统 选择禁带宽度较大的半导体材料 串联大的限流电阻 隧道击穿 在加有较高的反向电压下， PN结空间电荷区中存在一个强 电场，它能够破坏共价键将束 缚电子分离出来造成电子—空穴 对，形成较大的反向电流。发 生齐纳击穿需要的电场强度约 为2*105V／cm，这只有在杂质 浓度特别大的PN结中才能达到， 因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度(即杂质离子)大， 因而空间电荷区很窄，电场强度就可能很高。 齐纳击穿多数出现在杂质浓度较高的二极管，如稳压管( 齐纳二极管)，对于硅pn结，击穿电压小于4Eg/q的击穿主要 是齐纳击穿。 雪崩击穿 当PN结反向电压增 加时，空间电荷区中 的电场随着增强。通 过空间电荷区的电子 和空穴，在电场作用 下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴，将不断地与 晶体原子发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样 的碰撞，可使共价键中的电子激发形成自由电子—空穴对，这 种现象称为碰撞电离。新产生的电子和空穴与原有的电子和空 穴一样，在电场作用下，也向相反的方向运动，重新获得能量 又可通过碰撞，再产生电子—空穴对，这就是载流子的倍增效 应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在 陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使 反向电流急剧增大，于是PN结就发生雪崩击穿。 雪崩击穿多发生在杂质浓度较低的二极管，一般需要比较 高的电压（击穿电压＞6Eg/q），击穿电压与浓度成反比。 2.击穿条件 齐纳击穿条件： 足够小 对于硅pn结，发生齐纳击穿的最大电场临界值 大约为1200KV/cm。 当突变结低掺杂一侧的掺杂浓度很高或缓变结的 浓度梯度很大的pn结较易发生齐纳击穿。 雪崩击穿条件： ?i称为载流子的电离率，是雪崩倍增过程中，载流子漂 移单位距离，碰撞电离产生