绝缘层上锗材料的制备技术研究讲述.docVIP

目录 目录 I 摘要 II Abstract III 1引言 1 1.1研究背景与意义 1 1.1.1集成电路发展的瓶颈及解决方案 1 1.1.2硅锗合金 1 1.1.3 GOI材料的优势与应用前景 2 1.2 绝缘层上锗材料的主要制备技术 3 1.2.1 绝缘层上锗材料的主要制备方法 3 2 GOI材料的基本性质 6 2.1 锗材料 6 2.1.1锗材料的优势 6 2.2 GOI材料的电学性质 6 2.3 GOI材料的光学性质 7 3 GOI材料的制备 9 3.1 Ge浓缩法制备GOI材料的原理 9 3.1.1 SiGe氧化原理 9 3.2 GOI材料的制备过程 10 3.2.1 SOI衬底上生长SiGe材料 10 3.2.2样品的氧化及退火处理 12 4 GOI材料的表征 15 4.1常用的表征手段 15 4.1.1测试SiGe薄膜厚度--椭偏仪 15 4.1.2测试SiGe材料的组分和应变--Raman光谱 15 4.2 氧化过程表征 17 4.2.1 理论分析 17 4.2.2 实验结果 18 4.3 张应变测试结果 20 总结 22 致谢 23 参考文献 24 附录 25  绝缘层上锗材料的制备技术研究摘要绝缘层上锗材料(GOI)是在微电子技术领域中结合SiGe技术和SOI技术这两种先进技术的优势的前沿技术，是国内外微电子技术研究和发展的重点。在高性能器件和高集成