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IGBT模块的等效热路模型引言半导体器件的热特性可以使用不同的等效热路模型来描述：?图 1: 连续网络热路模型 (Continued fraction circuit,也称作Cauer模型, T模型或梯形网络)连续网络热路模型(Continued fraction circuit)反应了带有内部热阻的半导体器件的热容量真实的物理传导过程。当已知器件的每层的材料特性时，就能够建立这个模型。然而，要画出 每层材料上的热路图是十分麻烦的。模块的每一层（芯片、芯片的连接部、基片、基片连接部、底板）都可以用相应独立的RC单元来表示。因此从热路模型的各网络节点就能够获得每层材料的内部温度。图 2: 局部网络热路模型 (Partial fraction circuit,也称作Foster模型或pi模型)与连续网络热路模型不同，局部网络热路模型(Partial fraction circuit)的RC部分不再与各材料层对应。网络节点没有任何物理意义。本应用手册是用该模型，因为系数很容易从已测得的散热曲线中得到，因此该模型往往用于解析计算模块的温度分布。在本应用手册中，局部网络热路模型中的系数是用如表格中的r和一起表示的。这里举一个例子：图 3: 局部网络热路模型中含输入功率P(t), 壳温Tcase 和IGBT 的仿真模型在实际应用中，基板和散热片的温度不是总能简化假设为恒定值，因为与散热片的时间