实验55 pn结正向电压温度特性的测h定0.docVIP

大学物理实验教案 实验名称：PN结正向电压温度特性的测定 1 实验目的 了解PN结正向电压随温度变化的基本规律。 掌握用计算机测绘恒流条件下PN结正向电压随温度变化的关系曲线。 确定PN结的测温灵敏度。 2 实验仪器科学工作室接口、放大器、恒流源、计算机 3 实验原理 3.1实验原理 PN结是半导体器件的核心。在P（或N）型半导体中，用杂质补偿的方法将其中一部分材料转变成N（或P）型，这样，在两种材料交界处就形成了PN结，它保持了两种材料之间晶格的连续性。P区多子空穴比N区少子空穴浓度大，空穴由P区向N区扩散，并与N区的多子自由电子复合，在N区产生正离子的电荷区；N区多子自由电子比P区少子自由电子浓度大，自由电子由N区向P区扩散，并与P区的多子空穴复合，在P区产生负离子的电荷区。P区和N区的电荷区之间形成电场，在此电场作用下产生与扩散运动相反的情况，它阻止扩散运动的进一步加强。最终形成两种运动的动态平衡。我们把这个空间电荷区叫PN结，有时也叫作耗尽层。根据半导体理论，通过PN结的正向电流 （1） 式中：——正向电流（mA）；——正向压降（V）；——反向饱和电流（mA）；q电子电量（e）；k——波尔兹曼常数；T——热力学温度（K）。 而：