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2.1.1晶圆制备（3）硅片制备 硅片制备工艺流程（从晶棒到空白硅片）： 晶体准备（直径滚磨、晶体定向、导电类型检查 和电阻率检查）→ 切片→ 研磨→ 化学机械抛光（CMP）→ 背处理→ 双面抛光→ 边缘倒角→ 抛光→检验 →氧化或外延工艺→打包封装 晶体生长 整形 切片 磨片倒角 刻蚀 抛光 清洗 检查 包装 硅片制备 图 4.19 硅片制备的基本工艺步骤 整型 两端去除 径向研磨 定位面研磨 P-type (111) P-type (100) N-type (111) N-type (100) 图 4.21 硅片标识定位边 硅片上的成品率 成品率 = 66 good die 88 total die = 75% 图 4.14 1234567890 定位槽 被刻印的标识数字 图 4.22 硅片定位槽和激光刻印 切片 锯刃 图 4.23 内园切割机 磨片和倒角 图 4.24 抛光的晶圆边缘 刻 蚀 图 4.25 用于去除硅片表面损伤的化学刻蚀 抛 光 上抛光垫 下抛光垫 硅片 磨料 图 4.26 双面硅片抛光 质 量 测 量 物理尺寸 平整度 微粗糙度 氧含量 晶体缺陷 颗粒 体电阻率 改进的硅片要求 正偏差 负偏差 真空吸盘 硅片 参考平面 平整度 平整度是硅片最主要的参数之一，主要因为抛光工艺对局部位置