材料现代研究方法-X射线分析课件.pptVIP

第二部分 X-射线衍射分析 概 述 伦琴及他的实验室 第一章 X射线的物理学基础 1. 特征X射线谱的产生 当电子束动能足够大时，使靶原子中某内层电子轰击出来，导致靶原子处于受激状态。此时，原子中较高能级上的电子自发跃迁到该内层空位，多余能量作为X射线量子发射出来。这部分能量等于电子跃迁前所在能级与跃迁后能级间的能量差。 X射线的频率： hν＝ ω2 —ω1 ω1、ω2——原子正常态能量和受激态能量。 管压、电流只影响强度，I 特= c I(V -V激)n c—常数，n取决于射线性质（nK=1.5，nL=2）。 特征X射线包括K、L、M 系，由K、L、M层激发所致。 K系X射线波长最短，且分Kα，Kβ，Kγ，波长依次变短，Kα线窄且IKα≈5IKβ，衍射用Kα射线。 方法：提高工作电压V=(2~5)V激，提高峰背比; 滤掉Kβ射线 X射线散射后成偏振波，在入射方向最强， 垂直方向（2θ=90o）最小 非相干散射产生在各个方向上，强度低，随sinθ/λ增加而增大，非相干散射不能消除。 二次特征辐射：以X射线的激发作用而产生新的特征X射线的现象。 条件：X射线能量足使被照射物质内层电子激发出来 （E0=hν0=≥ eVk或入射波长λ0≤λK） （式中：VK—产生K系X射线激发电压；υ0、λ0—入射线的频率、波长