3第三章 扩散..pptVIP

3.1 杂质扩散机制（间隙式、替位式扩散）3.2 扩散系数与扩散方程（扩散系数、菲克第一、第二定律）3.3 扩散杂质的分布（有限表面源、恒定表面源、两步法扩散）3.4 影响杂质扩散的其它因素（硅中点缺陷、扩散系数与杂质浓度的关系、氧化增强扩散、发射区推进、二维扩散）3.5 扩散工艺（气、固、液源扩散）3.6 扩散工艺的发展（快速气相掺杂、气体浸没激光掺杂） 3.7 工艺控制和质量检测 3.1 杂质的扩散基本形式 扩散的基本形式：间隙式扩散、替位式扩散两类 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙，间隙杂质从一个间隙到另一个间隙是通过原子间的缝隙进行的，这种依靠间隙方式而逐步跳跃前进的扩散方式称为间隙式扩散。 Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 3.3 扩散杂质的分布 3.3.1 恒定表面源扩散 扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布。 边界条件：C(0,t)=Cs, C(∞,t)=0 初始条件：C(x,0)=0, x0 根据边界条件和初始条件，可求出扩散方程的解，满足余误差函数分布： 根据 得到恒定表面源扩散的杂质分布： 3.3.2 有限表面源扩散 扩散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作