451480CMOS工艺流程与MOS电路版图举例5..pptVIP

4、光II---有源区光刻，刻出PMOS管、NMOS管的源、栅和漏区 5、光III---N管场区光刻，N管场区注入孔，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。 6、长场氧，漂去SiO2及Si3N4，然后长栅氧。 7、光Ⅳ---p管场区光刻（用光I的负版），p管场区注入， 调节PMOS管的开启电压，然后生长多晶硅。 8、光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻 9、光ⅤI---P+区光刻，刻去P管上的胶。P+区注入，形成PMOS管的源、漏区及P+保护环（图中没画出P+保护环）。 10、光Ⅶ---N管场区光刻，刻去N管上的胶。 N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环（图中没画出）。 11、长PSG（磷硅玻璃）。 12、光刻Ⅷ---引线孔光刻。 13、光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻Al）。 8.7 RS触发器 p.154 2、单元配置恰当 （1）芯片面积降低10%，管芯成品率/圆片 可提高15?20%。 （2）多用并联形式，如或非门，少用串联形式，如与非门。 （3）大跨导管采用梳状或马蹄形，小跨导管采用条状图形，使图形排列尽可能规整。 5、双层金属布线时的优化方案 （1）全局电源线、地线和时钟线用第二层金属线。 （2）电源支线和信号线用第一层金属线（两层金属之间用通孔连接）。 （3）尽可能使两层金属