国脉信息学院射频课程解剖.doc

第一章 接收机的系统结构及类别 接收机的系统结构：输入回路、主频放大器、本地振荡器、混频器、中频放大器、检波器、输出变换器、天线、电源等。 接收机的类别：零中频接收机、低中频接收机、超外差接收机、宽带-双中频接收机、采样接收机、数字接收机。 非线性的概念 非线性是指输出输入不按比例，不成直线的关系。 线性电路与非线性电路的主要区别 P9 线性电路与非线性电路在时域上不满足叠加定理，频域上输出新的频率分量。 蓝牙系统提交抗干挠的方式 p5 通过采用跳频、短数据包和自适应发射功率来进行调节及提交抗干挠能力。 第二章 高频功率放大器的种类及关注的两个参数 按工作频带的宽窄，可分为窄带高频功率放大器和宽带高频放大器。参数：效率和输出功率。 特征频率GBW的概念 增益为1dB时所对应的频率为特征频率。即电流增益β值降为1时晶体管的工作频率。 3、通角θ的计算（波形系数g(θ)与通角的关系、输出功率（效率）与通角的关系） 波形系数 g(θ)= Icm / Ico 集电极利用系数 ε= Ucm / Ucc 集电极效率 ηc= 1/2* g(θ)* ε 减小Ic*Uce反通角θ可减少Pc，通角θ越小，Ic越集中在Ucmin附近，集电极损耗也就越小。当晶体管允许损耗功率PC一定时， ηC越高， 输出功率Po越大。 4、输入输出的主要特性（解析法要会） 输入特性：Ib-Ube 输出特性：Ic-Uce 转移特性：Ic-Ube 下图为理想化的转移特性（a）和输出特性（b） 解析法如下：（晶体管特性放大区的表示式可写为　　　　　iC=gm(uBE－UBE(on))， uBE≥UBE(on) 截止区的表示式可写为　　　　　iC=0, uBE＜UBE(on) 在饱和区， 用这些特性曲线从放大区进入饱和区的临界点相连起来的一条直线加以近似， 这条直线叫临界线， 其斜率用Scr表示 iC=ScruCE） 晶体管外部电压为：  uBE=UBB+Ubm cosωt,　uCE=UCC－Ucm cosωt▲▲▲因此放大区晶体管集电极电流为 iC=gm(UBB+Ubm cosωt－UBE(on)） 当ωt=θ时， iC=0， 则 当UBB=UBE(on)时，θ=90°； 当UBBUBE(on)时，θπ/2； 当UBBUBE(on)时， θπ/2。 　　　当ωt=0时， 有　　　iC=iCmax=gm(UBB+Ubm－UBE(on))=gm · Ubm(1－cosθ) 由此可得，集电极余弦脉冲电流的解析表示式为 图解法如下: 已知放大区集电极电流表示式为　　　　 iC=gm(UBB+Ubm cosωt－UBE(on)）又根据uCE=UCC－Ucm cosωt写出： 这样， 可得 ①确定C点 uBE=uBEmax=UBB+UbmuCE=uCEmin=UCC－Ucm ②再取ωt=π/2,则确定B点 uBE=UBBuCE=UCC ③确定D点:连C、 B两点， 与横轴交于A点， CA直线即为放大区的动态特性。截止区(iC=0)的动态特性是横轴上的一段， 其端点D可这样确定： 取ωt=π， 则　　　　　uBE=UBB－Ubm　　　　　uCE=UCC+Ucm=uCEmax其对应的工作点即为D点。 折线CAD即为谐振功率放大器的动态特性曲线 5、晶体管工作区间的判断 θ=180，g(θ)=1, ηmax=50%,放大器工作在甲类 θ=90，g(θ)=π/2, ηmax=78.5%,放大器工作在乙类 θ90，g(θ)随θ减小而增大, ηmax=100%,放大器工作在丙类 工作状态：欠压状态，临界状态，过压状态 6、谐振功率放大器的工作状态的判断和影响 （1）谐振功率放大器有三个工作状态：欠压，过压，临界，其中，工作状态是根据Ube=Ubemax、Uce=Ucemax时瞬时工作点在静特性曲线上所处的位置确定的。其中，放大区→欠压状态，临界区→临界状态，饱和区→过压状态 （2）谐振功率放大器的工作状态必须由Ucc ，Ubb ，Ubm ，Ucm这四个参量决定的，缺一不可。 C点工作于欠压状态，C‘ 点工作于临界状态，C‘‘点工作于欠压状态 Ucc ，Ubb ，Ubm不变时，Re改变，则Re从小到大变化时，工作状态由欠压→临界→过压变化，因为Ucm=Icm*Re，所以Re增大，Ucm增大，Uc的波形也增大。 ③谐振功率放大器要得到大功率，高效率的输出，应工作在临界或弱过压状态 7、由P