受光照和温升影响较大一、半导体材料与本征半导体1.材料2.本征.pptVIP

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2016-12-28 发布于天津
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受光照和温升影响较大一、半导体材料与本征半导体1.材料2.本征.ppt

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第一章:半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.1 半导体的基本知识 * * 1.2 二极管特性与参数电量与符号表示交流量直流量瞬时值有效值或最大值一、半导体材料与本征半导体 1. 材料硅锗 2. 本征半导体非常纯净的半导体材料纯净度 99.9999999% 3. 导电特性 a. b. 受光照和温升影响较大排列有序的晶体结构 b. 受光照和温升影响较大一、半导体材料与本征半导体 1. 材料 2. 本征半导体 3. 导电特性 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子空穴电子-空穴对此现象称为本征激发给半导体两端加电后，将会有电流产生，这一电流被称之为漂移电流当半导体材料不变时，该电流的大小与温度成正比关系，因此该电流也被称之为饱和电流。二、杂质半导体一、半导体材料与本征半导体 1. 材料 2. 本征半导体 3. 导电特性结果发现，掺杂是提高导电性能最有效的办法，掺杂百万分之一，导电性能提高一百万倍。 1. N型半导体 2. P型半导体 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子带一个单位的负电荷 Negative + + + + + + + + + +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴带一个单位的正电荷 Plus - - - - - - - - - 施主离子受主离子三、PN结一、半导体材料与本征半导体二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 1. PN结的形成扩散现象 - - - - - - - - - P + + + + + + + + + N _ + 漂移电流平衡稳定状态耗尽层阻挡层三、PN结一、半导体材料与本征半导体二、杂质半导体 2. PN结的单向导电性 _ + - - - - - - - - - P + + + + + + + + + N 三、PN结 1. PN结的形成内电场变窄导通电压正向偏置正向偏置时, PN端压较低, 电流较大, 显导通状态! 三、PN结一、半导体材料与本征半导体二、杂质半导体 2. PN结的单向导电性 _ + - - - - - - - - - P + + + + + + + + + N 三、PN结 1. PN结的形成内电场变宽端压高反向偏置反向偏置时, PN端压较高, 电流很小IS, 显截止状态! 1. 符号表示与结构分类第1章: 半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.2 二极管特性与主要参数 2. 二极管的伏安特性 b. 伏压特性曲线 a. 理论结果 0.2V 0.1-0.3V 0.1V 锗 0.7V 0.6-0.8V 0.5V 硅导通电压的工程值UD(on) 导通电压门限电压材料